전력 관리 MOSFET

CSD23280F3

활성

-12V, P 채널 NexFET™ 전원 MOSFET, 싱글 LGA 0.6mm x 0.7mm, 116mOhm, 게이트 ESD 보호

제품 상세 정보

VDS (V) -12 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 116 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 165 VGSTH typ (typ) (V) -0.65 QG (typ) (nC) 0.95 QGD (typ) (nC) 0.068 QGS (typ) (nC) 0.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.8 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -12 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 116 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 165 VGSTH typ (typ) (V) -0.65 QG (typ) (nC) 0.95 QGD (typ) (nC) 0.068 QGS (typ) (nC) 0.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.8 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJM) 3 0.414 mm² 0.69 x 0.6
  • Low On-Resistance
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • High-operating drain current
  • Ultra-small footprint
    • 0.73 mm × 0.64 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.36-mm max height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Low On-Resistance
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • High-operating drain current
  • Ultra-small footprint
    • 0.73 mm × 0.64 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.36-mm max height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This –12-V, 97-mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size.

This –12-V, 97-mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size.

다운로드 스크립트와 함께 비디오 보기 비디오

관심 가지실만한 유사 제품

open-in-new 대안 비교
비교 대상 장치와 동일한 기능을 지원하는 핀 대 핀
CSD25480F3 활성 -20V, P 채널 NexFET™ 전원 MOSFET, 싱글 LGA 0.6mm x 0.7mm, 159mOhm, 게이트 ESD 보호 Alternate 12 V versus 20 V, lower resistance

기술 자료

star =TI에서 선정한 이 제품의 인기 문서
검색된 결과가 없습니다. 검색어를 지우고 다시 시도하세요.
11개 모두 보기
상위 문서 유형 직함 형식 옵션 날짜
* Data sheet CSD23280F3 –12-V P-Channel FemtoFET MOSFET datasheet (Rev. B) PDF | HTML 2021/09/08
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 2025/10/31
Application note MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 2025/10/27
Application note Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 2024/03/25
Application note Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023/12/18
Application note Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 2023/12/14
Application note Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023/03/13
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022/05/31
More literature WCSP Handling Guide 2019/11/07
Design guide FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016/07/07
Technical article FemtoFET MOSFETs: small as sand but it’s all about that pitch PDF | HTML 2016/06/27

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P-채널 평가 모듈

이 FemtoFET P-채널 EVM에는 6개의 도터 카드가 포함되어 있으며, 각 카드에는 다른 FemtoFET P-채널 부품 번호가 포함되어 있습니다.  도터 카드를 사용하면 엔지니어가 손쉽게 이러한 작은 디바이스를 연결하고 테스트할 수 있습니다.  12V~20V VDS의 6개 FemtoFET 범위는 디바이스가 F3(0.6x0.7mm), F4(0.6x1.0mm) 및 F5(0.8x1.5mm)입니다.

사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매할 수 없음
지원 소프트웨어

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

시뮬레이션 모델

CSD23280F3 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM175A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
레퍼런스 디자인

TIDA-01589 — 잡음 감소 및 음향 반향 제거를 지원하는 하이파이, 근거리 양방향 오디오 레퍼런스 설계

수동 기계 상호 작용에는 전이중 핸즈프리 통신을 제공하기 위한 음향 인터페이스가 필요합니다. 핸즈프리 모드에서는 스피커의 종단 또는 근거리 오디오 신호의 일부가 마이크에 연결됩니다. 또한 소음이 심한 환경에서는 마이크가 유용한 근거리 오디오 신호 외에도 주변 소음을 포착합니다. 캡처된 멀티 마이크 오디오 신호는 음향 배경 잡음뿐만 아니라 원하는 신호의 인식률을 현저히 떨어뜨리고 후속 오디오 처리 시스템의 성능을 제한하는 반향 신호로 인해 손상됩니다. 이 레퍼런스 설계는 스테레오 ADC를 통한 오디오 입력용 듀얼 마이크와 잡음 (...)
Design guide: PDF
회로도: PDF
레퍼런스 디자인

TIDA-01228 — 인덕티브 센서를 통한 저전력 수도 측정 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 CC1350 SimpleLink™ 무선 MCU 및 FemtoFET™ MOSFET을 지원하는 유도성 센서 기술을 사용하여 이 애플리케이션을 위한 고집적 솔루션을 보여줍니다. 또한 이 레퍼런스 설계는 무선 M-Bus, Sigfox™ 또는 독점 프로토콜과 같은 무선 통신 통합을 위한 플랫폼을 제공합니다. 자동 계량기 판독(AMR) 기능을 추가하려는 수도 유틸리티 공급자는 기존 계량기를 모두 교체하거나 유량을 정확하게 측정하고 결과를 무선으로 전송하는 간단한 전자식 애드온 모듈을 설치해야 하는 선택에 직면합니다. (...)
Design guide: PDF
회로도: PDF
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
PICOSTAR (YJM) 3 Ultra Librarian

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

콘텐츠는 TI 및 커뮤니티 기고자에 의해 "있는 그대로" 제공되며 TI의 사양으로 간주되지 않습니다. 사용 약관을 참조하십시오.

품질, 패키징, TI에서 주문하는 데 대한 질문이 있다면 TI 지원을 방문하세요. ​​​​​​​​​​​​​​

동영상