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CSD22205L

활성

-8V, P 채널 NexFET™ 전원 MOSFET, 싱글 LGA 1.5mm x 1.5mm, 12.2mOhm, 게이트 ESD 보호

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CSD22205L

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제품 상세 정보

VDS (V) -8 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 9.9 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 15 VGSTH typ (typ) (V) -0.7 QG (typ) (nC) 6.5 QGD (typ) (nC) 1 QGS (typ) (nC) 1.2 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 7.4 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -8 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 9.9 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 15 VGSTH typ (typ) (V) -0.7 QG (typ) (nC) 6.5 QGD (typ) (nC) 1 QGS (typ) (nC) 1.2 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 7.4 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YMG) 4 1.3456 mm² 1.16 x 1.16
  • Low resistance
  • Small footprint 1.2 mm × 1.2 mm
  • Low profile 0.36-mm height
  • Lead free
  • Gate-source voltage clamp
  • Gate ESD protection
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • Low resistance
  • Small footprint 1.2 mm × 1.2 mm
  • Low profile 0.36-mm height
  • Lead free
  • Gate-source voltage clamp
  • Gate ESD protection
  • RoHS compliant
  • Halogen free

This –8-V, 8.2-mΩ, 1.2-mm × 1.2-mm Land Grid Array (LGA) NexFET™ device has been designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. The Land Grid Array (LGA) package is a silicon chip scale package with metal pads instead of solder balls.

This –8-V, 8.2-mΩ, 1.2-mm × 1.2-mm Land Grid Array (LGA) NexFET™ device has been designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. The Land Grid Array (LGA) package is a silicon chip scale package with metal pads instead of solder balls.
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* Data sheet CSD22205L –8-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET datasheet (Rev. B) PDF | HTML 2021/09/08
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Application note Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023/12/18
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Application note Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023/03/13
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022/05/31
More literature WCSP Handling Guide 2019/11/07
Design guide FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016/07/07

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

지원 소프트웨어

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어
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시뮬레이션 모델

CSD22205L Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM298A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
다운로드
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
PICOSTAR (YMG) 4 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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