CSD22205L
- Low resistance
- Small footprint 1.2 mm × 1.2 mm
- Low profile 0.36-mm height
- Lead free
- Gate-source voltage clamp
- Gate ESD protection
- RoHS compliant
- Halogen free
This –8-V, 8.2-mΩ, 1.2-mm × 1.2-mm Land Grid Array (LGA) NexFET™ device has been designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. The Land Grid Array (LGA) package is a silicon chip scale package with metal pads instead of solder balls.
기술 자료
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| 상위 문서 | 유형 | 직함 | 형식 옵션 | 최신 영어 버전 다운로드 | 날짜 |
|---|---|---|---|---|---|
| * | 데이터 시트 | CSD22205L –8-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET datasheet (Rev. B) | PDF | HTML | 2021. 9. 8 | |
| Application brief | Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs | PDF | HTML | 2025. 10. 31 | ||
| 애플리케이션 노트 | MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) | PDF | HTML | 2025. 10. 27 | ||
| 애플리케이션 노트 | Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) | PDF | HTML | 2024. 3. 25 | ||
| 애플리케이션 노트 | Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design | PDF | HTML | 2023. 12. 18 | ||
| 애플리케이션 노트 | Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs | PDF | HTML | 2023. 12. 14 | ||
| 애플리케이션 노트 | Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design | PDF | HTML | 2023. 3. 13 | ||
| Application brief | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022. 5. 31 | ||
| 설계 가이드 | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 2016. 7. 7 |
설계 및 개발
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지원 소프트웨어
LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch
크기, 비용 및 성능을 신속하게 절충하여 애플리케이션 조건에 따라 최적의 MOSFET을 선택합니다.
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| PICOSTAR (YMG) | 4 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
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