전력 관리 MOSFET

CSD23381F4

활성

-12V, P 채널 NexFET™ 전원 MOSFET, 싱글 LGA 0.6mm x 1mm, 175mOhm, 게이트 ESD 보호

제품 상세 정보

VDS (V) -12 VGS (V) -8 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 175 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 300 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 1.14 QGD (typ) (nC) 0.19 QGS (typ) (nC) 0.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.3 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -12 VGS (V) -8 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 175 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 300 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 1.14 QGD (typ) (nC) 0.19 QGS (typ) (nC) 0.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.3 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJC) 3 0.657225 mm² (1.035 mm × 0.635 mm)
  • Ultra-low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • High operating drain current
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • Maximum height: 0.36 mm
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Ultra-low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • High operating drain current
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • Maximum height: 0.36 mm
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This 150 mΩ, 12 V P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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This 150 mΩ, 12 V P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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기술 자료

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* 데이터 시트 CSD23381F4 12-V P-Channel FemtoFET™ MOSFET datasheet (Rev. G) PDF | HTML 2022. 3. 10
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Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022. 5. 31
기술 문서 The real secret to become a better cook. Integrate smart scale technology in kitch PDF | HTML 2016. 10. 25
설계 가이드 FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016. 7. 7

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

지원 소프트웨어

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

크기, 비용 및 성능을 신속하게 절충하여 애플리케이션 조건에 따라 최적의 MOSFET을 선택합니다.
지원되는 제품 및 하드웨어
시뮬레이션 모델

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SLPM091A.TSM (7 KB) - Tina-TI Spice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
시뮬레이션 모델

CSD23381F4 Unencrypted PSpice Model (Rev. C)

SLPM089C.ZIP (3 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

TIDA-00179 — 절대 위치 인코더에 대한 범용 디지털 인터페이스 레퍼런스 디자인

TIDA-00179는 EnDat 2.2, BiSS®, SSI 또는 HIPERFACE DSL®과 같은 절대 위치 인코더에 연결하기 위한 EMC 준수 범용 디지털 인터페이스입니다. 이 레퍼런스 설계는 15V~60V(24V nom)의 넓은 입력 전압 범위를 지원합니다. 3.3V 로직 I/O 신호를 지원하는 커넥터를 통해 Sitara AM437x 또는 Delfino F28379와 같은 호스트 프로세서와 직접 인터페이싱스하여 해당 마스터 프로토콜을 실행할 수 있습니다.

마스터 구현은 Sitara AM437x(EnDat2.2, BiSS (...)

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TIDA-00449 — 10s 배터리팩 모니터링, 밸런싱 및 포괄적인 보호. 50A 방전 레퍼런스 디자인

이 레퍼런스 설계는 전동 공구용 10셀 직렬 배터리 팩의 모니터링, 밸런싱 및 보호에 대해 테스트를 완료했습니다. 전동 공구는 부적절한 충전 또는 방전으로 인한 폭발로부터 보호가 필요한 고에너지 밀도의 리튬-이온 또는 리튬-인산철 셀 기반 배터리 팩을 점점 더 많이 사용합니다. TIDA-00449는 또한 높은 연속 전류로 방전될 때 전동 공구 배터리 팩의 열적 요구 사항을 충족합니다.

지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

TIDA-00765 — 1g 단위의 15kg 이상 범위 100nVpp 이하 노이즈 프론트 엔드 레퍼런스 디자인

TIDA-00765는 저항식 스트레인 게이지 브리지 부하 셀 기반 무게 및 진동 측정을 위한 100nVpp 미만의 아날로그 프론트 엔드입니다. 동적 범위가 넓어 고해상도가 요구되거나 상당한 무게 오프셋이 있는 가전제품에 완벽하게 맞습니다. 스위칭 전원 공급 잡음이 심하거나 온도 변화가 급격히 발생하는 상황에서 드리프트와 간섭은 거친 환경에서 흔히 발생하는 문제입니다. 이 설계는 높은 집적도, AC 여자, 견고한 필터링을 통해 드리프트와 간섭을 억제하여 열악한 환경에서도 안정적인 성능을 보장합니다.
지원되는 제품 및 하드웨어
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
PICOSTAR (YJC) 3 Ultra Librarian

주문 및 품질

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

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