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CSD88599Q5DC

AKTIV

60 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 5 mm x 6 mm-Dual-Cool™-Leistungsblock,

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Datenblatt

CSD88599Q5DC

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Produktdetails

VDS (V) 60 VGS (V) 20 Type Power block Configuration PowerBlock ID - continuous drain current at TA=25°C (A) 40 Power loss (W) 3 Ploss current (A) 30 Features Motor control Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 60 VGS (V) 20 Type Power block Configuration PowerBlock ID - continuous drain current at TA=25°C (A) 40 Power loss (W) 3 Ploss current (A) 30 Features Motor control Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON-CLIP (DMM) 22 30 mm² 6 x 5
  • Half-bridge power block
  • High-density SON 5mm × 6mm footprint
  • Low RDS(ON) for minimized conduction Losses
    • 3.0W PLoss at 30A
  • DualCool™ thermally Enhanced Package
  • Ultra-low-inductance package
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • Lead-free terminal plating
  • Half-bridge power block
  • High-density SON 5mm × 6mm footprint
  • Low RDS(ON) for minimized conduction Losses
    • 3.0W PLoss at 30A
  • DualCool™ thermally Enhanced Package
  • Ultra-low-inductance package
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • Lead-free terminal plating

The CSD88599Q5DC 60V power block is an optimized design for high-current motor control applications, such as handheld, cordless garden and power tools. This device utilizes TI’s stacked die technology in order to minimize parasitic inductances while offering a complete half bridge in a space saving thermally enhanced DualCool™ 5mm × 6mm package. With an exposed metal top, this power block device allows for simple heat sink application to draw heat out through the top of the package and away from the PCB, for superior thermal performance at the higher currents demanded by many motor control applications.

The CSD88599Q5DC 60V power block is an optimized design for high-current motor control applications, such as handheld, cordless garden and power tools. This device utilizes TI’s stacked die technology in order to minimize parasitic inductances while offering a complete half bridge in a space saving thermally enhanced DualCool™ 5mm × 6mm package. With an exposed metal top, this power block device allows for simple heat sink application to draw heat out through the top of the package and away from the PCB, for superior thermal performance at the higher currents demanded by many motor control applications.
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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
* Data sheet CSD88599Q5DC 60V Half-Bridge NexFET Power Block datasheet (Rev. D) PDF | HTML 23 Jun 2024
Application note Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 25 Mär 2024
Application note QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) PDF | HTML 06 Dez 2023
Application note MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 29 Aug 2022
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 31 Mai 2022
Technical article How to Select a MOSFET – Motor Control 24 Jan 2018
Technical article Improve the performance of your power tool design with power blocks PDF | HTML 14 Sep 2017
Technical article Demand for higher power density drives innovative power tool solution PDF | HTML 23 Mai 2017
Application note Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 16 Nov 2011

Design und Entwicklung

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Evaluierungsplatine

BOOSTXL-DRV8320H — DRV8320H – dreiphasiger Motortreiber (Hardware-Schnittstelle) – Evaluierungsmodul

Das Evaluierungsmodul (EVM) BOOSTXL-DRV8320H beinhaltet eine 3-phasige bürstenlose 15-A-DC-Antriebsstufe, basierend auf dem Gate-Treiber DRV8320H und den Doppelgehäuse-MOSFETs CSD88399Q5DC.  Das Modul verfügt über individuelle DC-Bus- und Phasenspannungserfassung, weshalb sich dieses EVM ideal für (...)
Benutzerhandbuch: PDF
Nicht verfügbar auf TI.com
Evaluierungsplatine

BOOSTXL-DRV8320S — DRV8320S – dreiphasiger Motortreiber (SPI-Schnittstelle) – Evaluierungsmodul

Das Evaluierungsmodul (EVM) BOOSTXL-DRV8320S beinhaltet eine 3-phasige bürstenlose 15-A-DC-Antriebsstufe, basierend auf dem Gate-Treiber DRV8320S und den Doppelgehäuse-MOSFETs CSD88399Q5DC.  Das Modul verfügt über individuelle DC-Bus- und Phasenspannungserfassung, weshalb sich dieses EVM ideal für (...)
Benutzerhandbuch: PDF
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Evaluierungsplatine

BOOSTXL-DRV8323RH — DRV8323RH – dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber mit Buck, Shunt-Verstärkern (SPI-Schnittstelle)

Der BOOSTXL-DRV8323RH ist eine 3-phasige, bürstenlose DC-Antriebsstufe mit 15 A, die auf dem DRV8323RH-Gate-Treiber für CSD88599Q5DC-NexFETTM-Motorblöcke basiert.  Das Modul verfügt über individuelle DC-Bus- und Phasenspannungserfassung sowie einzelne Low-Side-Strom-Shunt-Verstärker, wodurch sich (...)
Benutzerhandbuch: PDF
Nicht verfügbar auf TI.com
Evaluierungsplatine

BOOSTXL-DRV8323RS — DRV8323RS – dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber mit Buck, Shunt-Verstärkern (SPI-Schnittstell

Der BOOSTXL-DRV8323RS ist eine 3-phasige, bürstenlose DC-Antriebsstufe mit 15 A, die auf dem DRV8323RH-Gate-Treiber für CSD88599Q5DC-NexFETTM-Motorblöcke basiert. Das Modul verfügt über individuelle DC-Bus- und Phasenspannungserfassung sowie einzelne Low-Side-Strom-Shunt-Verstärker, wodurch sich (...)

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Tochterkarte

BOOSTXL-DRV8320RS — DRV8320RS – Evaluierungsmodul für dreiphasigen intelligenten Gate-Treiber mit Buck und SPI-Schnittst

Der BOOSTXL-DRV8320RS ist eine dreiphasige, bürstenlose DC-Antriebsstufe mit 15 A, die auf dem DRV8320RS-Gate-Treiber für CSD88599Q5DC-NexFET-Motorblöcke basiert.  Das Modul verfügt über individuelle DC-Bus- und Phasenspannungserfassung, weshalb sich dieses Evaluierungsmodul ideal für sensorlose (...)
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Simulationsmodell

CSD88599Q5DC Unencrypted PSpice Model Package (Rev. B)

SLPM325B.ZIP (6 KB) - PSpice Model
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Berechnungstool

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for BLDC Motor Drive

This is an Excel-based MOSFET power loss calculator for brushless DC motor drive applications.
Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
MOSFETs
CSD13202Q2 — 12-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 9,3 mOhm CSD15571Q2 — 20-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 19,2 mOhm CSD16301Q2 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 29 mOhm CSD16321Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm CSD16322Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,8 mOhm CSD16323Q3 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 5,5 mOhm CSD16325Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,2 mOhm CSD16327Q3 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 4,8 mOhm CSD16340Q3 — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 3 mm x 3 mm, 5,5 mOhm CSD16342Q5A — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 5 mm x 6 mm, 5,5 mOhm CSD16401Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD16403Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,7 mOhm CSD16404Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 7,2 mOhm CSD16406Q3 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 7,4 mOhm CSD16407Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,3 mOhm CSD16408Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,8 mOhm CSD16409Q3 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 12,4 mOhm CSD16410Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12 mOhm CSD16411Q3 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 15 mOhm CSD16412Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 16 mOhm CSD16413Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,6 mOhm CSD16414Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm CSD16415Q5 — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 5 mm x 6 mm, 1,8 mOhm CSD16556Q5B — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 5 mm x 6 mm, 1,5 mOhm CSD17301Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3 mOhm CSD17302Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9 mOhm CSD17303Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm CSD17304Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 8,8 mOhm CSD17305Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,6 mOhm CSD17306Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,2 mOhm CSD17307Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12,1 mOhm CSD17308Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 11,8 mOhm CSD17309Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6,3 mOhm CSD17310Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,9 mOhm CSD17311Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD17312Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,7 mOhm CSD17313Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 32 mOhm CSD17318Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 16,9 mOhm CSD17322Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12,4 mOhm CSD17327Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 15,5 mOhm CSD17501Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,9 mOhm CSD17505Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,5 mOhm CSD17506Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4 mOhm CSD17507Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 10,8 mOhm CSD17510Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,2 mOhm CSD17522Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 8,1 mOhm CSD17527Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 10,8 mOhm CSD17551Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9 mOhm CSD17551Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 8,8 mOhm CSD17552Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6 mOhm CSD17552Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,2 mOhm CSD17553Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,1 mOhm CSD17555Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,7 mOhm CSD17556Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,8 mOhm CSD17559Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,5 mOhm CSD17571Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 29 mOhm CSD17573Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,45 mOhm CSD17575Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 3,2 mOhm CSD17576Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,9 mOhm CSD17577Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6,4 mOhm CSD17577Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,8 mOhm CSD17578Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9,4 mOhm CSD17578Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,3 mOhm CSD17579Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 14,2 mOhm CSD17579Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 13,3 mOhm CSD17581Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 4,7 mOhm CSD17581Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,2 mOhm CSD18501Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm CSD18502KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,9 mOhm CSD18502Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD18503KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 4,5 mOhm CSD18503Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,3 mOhm CSD18504KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 7 mOhm CSD18504Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,6 mOhm CSD18509Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,2 mOhm CSD18510KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 1,7 mOhm CSD18510KTT — 40 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 1,7 mOhm CSD18510Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 0,96 mOhm CSD18511KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,6 mOhm CSD18511KTT — 40 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2,6 mOhm CSD18511Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD18512Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,6 mOhm CSD18513Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm CSD18514Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm CSD18531Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,6 mOhm CSD18532KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 4,2 mOhm CSD18532NQ5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm CSD18532Q5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm CSD18533KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 6,3 mOhm CSD18533Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,9 mOhm CSD18534KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 9,5 mOhm CSD18534Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,8 mOhm CSD18535KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 2 mOhm CSD18535KTT — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2 mOhm CSD18536KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 1,6 mOhm CSD18536KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, 60 V, D2PAK, 1,6 mOhm CSD18537NKCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 14 mOhm CSD18537NQ5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 13 mOhm CSD18540Q5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,2 mOhm CSD18542KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 4 mOhm CSD18542KTT — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 4 mOhm CSD18543Q3A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9,9 mOhm CSD18563Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,8 mOhm CSD19501KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 6,6 mOhm CSD19502Q5B — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,1 mOhm CSD19503KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 9,2 mOhm CSD19505KCS — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 3,1 mOhm CSD19505KTT — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 3,1 mOhm CSD19506KCS — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,3 mOhm CSD19506KTT — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2,3 mOhm CSD19531KCS — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-TO-220, 7,7 mOhm CSD19531Q5A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,4 mOhm CSD19532KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-D2PAK, 5,6 mOhm CSD19532Q5B — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm CSD19533KCS — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-TO-220, 10,5 mOhm CSD19533Q5A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,5 mOhm CSD19534KCS — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-TO-220, 16,5 mOhm CSD19534Q5A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 15,1 mOhm CSD19535KCS — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 3,6 mOhm CSD19535KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-D2PAK, 3,4 mOhm CSD19536KCS — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,7 mOhm CSD19536KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-D2PAK, 2,4 mOhm CSD19537Q3 — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 14,5 mOhm CSD19538Q2 — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 59 mOhm CSD19538Q3A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 61 mOhm CSD85301Q2 — 20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SON 2 mm x 2 mm, 27 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD87333Q3D — 30 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 3 mm x 3 mm-Leistungsblock, 15 A CSD87334Q3D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON-Leistungsblock 3 mm x 3 mm, 20 A CSD87353Q5D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 40 A CSD87502Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SON 2 mm x 2, 42 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD88537ND — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SO-8, 15 mOhm CSD88539ND — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SO-8, 28 mOhm CSD88584Q5DC — 40 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 5 mm x 6 mm Dual-Cool™-Leistungsblock, CSD88599Q5DC — 60 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 5 mm x 6 mm-Dual-Cool™-Leistungsblock,
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MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — MOSFET-Leistungsverlustberechnung für Motorantriebanwendungen
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SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
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MOSFETs
CSD13201W10 — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1 mm, 34 mOhm CSD13202Q2 — 12-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 9,3 mOhm CSD13302W — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1 mm, 17,1 mOhm CSD13303W1015 — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1,5 mm, 20 mOhm CSD13306W — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1,5 mm, 10,2 mOhm CSD13380F3 — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 12 V, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 76 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD13381F4 — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 12 V, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 180 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD13383F4 — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 44 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD13385F5 — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 12 V, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 19 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD15380F3 — 20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 1460 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD15571Q2 — 20-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 19,2 mOhm CSD16301Q2 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 29 mOhm CSD16321Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm CSD16322Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,8 mOhm CSD16323Q3 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 5,5 mOhm CSD16325Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,2 mOhm CSD16327Q3 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 4,8 mOhm CSD16340Q3 — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 3 mm x 3 mm, 5,5 mOhm CSD16342Q5A — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 5 mm x 6 mm, 5,5 mOhm CSD16401Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD16403Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,7 mOhm CSD16404Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 7,2 mOhm CSD16406Q3 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 7,4 mOhm CSD16407Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,3 mOhm CSD16408Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,8 mOhm CSD16409Q3 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 12,4 mOhm CSD16410Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12 mOhm CSD16411Q3 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 15 mOhm CSD16412Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 16 mOhm CSD16413Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,6 mOhm CSD16414Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm CSD16415Q5 — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 5 mm x 6 mm, 1,8 mOhm CSD16556Q5B — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 5 mm x 6 mm, 1,5 mOhm CSD16570Q5B — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 5 mm x 6 mm, 0,82 mOhm CSD17301Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3 mOhm CSD17302Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9 mOhm CSD17303Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm CSD17304Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 8,8 mOhm CSD17305Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,6 mOhm CSD17306Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,2 mOhm CSD17307Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12,1 mOhm CSD17308Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 11,8 mOhm CSD17309Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6,3 mOhm CSD17310Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,9 mOhm CSD17311Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD17312Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,7 mOhm CSD17313Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 32 mOhm CSD17313Q2Q1 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET für die Automobilindustrie CSD17318Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 16,9 mOhm CSD17322Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12,4 mOhm CSD17327Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 15,5 mOhm CSD17381F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 117 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD17382F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 67 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD17483F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 260 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD17484F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 128 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD17501Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,9 mOhm CSD17505Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,5 mOhm CSD17506Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4 mOhm CSD17507Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 10,8 mOhm CSD17510Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,2 mOhm CSD17522Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 8,1 mOhm CSD17527Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 10,8 mOhm CSD17551Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9 mOhm CSD17551Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 8,8 mOhm CSD17552Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6 mOhm CSD17552Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,2 mOhm CSD17553Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,1 mOhm CSD17555Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,7 mOhm CSD17556Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,8 mOhm CSD17559Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,5 mOhm CSD17570Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 0,92 mOhm CSD17571Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 29 mOhm CSD17573Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,45 mOhm CSD17575Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 3,2 mOhm CSD17576Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,9 mOhm CSD17577Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6,4 mOhm CSD17577Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,8 mOhm CSD17578Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9,4 mOhm CSD17578Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,3 mOhm CSD17579Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 14,2 mOhm CSD17579Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 13,3 mOhm CSD17581Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 4,7 mOhm CSD17581Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,2 mOhm CSD17585F5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 33 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD18501Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm CSD18502KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,9 mOhm CSD18502Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD18503KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 4,5 mOhm CSD18503Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,3 mOhm CSD18504KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 7 mOhm CSD18504Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,6 mOhm CSD18509Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,2 mOhm CSD18510KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 1,7 mOhm CSD18510KTT — 40 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 1,7 mOhm CSD18510Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 0,96 mOhm CSD18511KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,6 mOhm CSD18511KTT — 40 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2,6 mOhm CSD18511Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD18512Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,6 mOhm CSD18513Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm CSD18514Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm CSD18531Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,6 mOhm CSD18532KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 4,2 mOhm CSD18532NQ5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm CSD18532Q5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm CSD18533KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 6,3 mOhm CSD18533Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,9 mOhm CSD18534KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 9,5 mOhm CSD18534Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,8 mOhm CSD18535KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 2 mOhm CSD18535KTT — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2 mOhm CSD18536KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 1,6 mOhm CSD18536KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, 60 V, D2PAK, 1,6 mOhm CSD18537NKCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 14 mOhm CSD18537NQ5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 13 mOhm CSD18540Q5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,2 mOhm CSD18541F5 — 60 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1,5 mm x 0,8 mm, 65 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD18542KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 4 mOhm CSD18542KTT — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 4 mOhm CSD18543Q3A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9,9 mOhm CSD18563Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,8 mOhm CSD19501KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 6,6 mOhm CSD19502Q5B — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,1 mOhm CSD19503KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 9,2 mOhm CSD19505KCS — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 3,1 mOhm CSD19505KTT — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 3,1 mOhm CSD19506KCS — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,3 mOhm CSD19506KTT — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2,3 mOhm CSD19531KCS — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-TO-220, 7,7 mOhm CSD19531Q5A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,4 mOhm CSD19532KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-D2PAK, 5,6 mOhm CSD19532Q5B — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm CSD19533KCS — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-TO-220, 10,5 mOhm CSD19533Q5A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,5 mOhm CSD19534KCS — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-TO-220, 16,5 mOhm CSD19534Q5A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 15,1 mOhm CSD19535KCS — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 3,6 mOhm CSD19535KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-D2PAK, 3,4 mOhm CSD19536KCS — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,7 mOhm CSD19536KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-D2PAK, 2,4 mOhm CSD19537Q3 — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 14,5 mOhm CSD19538Q2 — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 59 mOhm CSD19538Q3A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 61 mOhm CSD83325L — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, duales LGA, 5,9 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD85301Q2 — 20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SON 2 mm x 2 mm, 27 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD85302L — 20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-Common-Drain-LGA 1,35 mm x 1,35 mm, 24 mOhm, Gate-ESD-S CSD85312Q3E — 20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-Common-Quellen-SON, 3 mm x 3, 14 mOhm CSD86311W1723 — 25 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, duale gemeinsame Quelle, WLP, 1,7 mm x 2,3 mm, 42 mOhm CSD86330Q3D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, SON-Leistungsblock 3 mm x 3 mm, 20 A CSD86336Q3D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, SON-Leistungsblock 3 mm x 3 mm, 20 A CSD86350Q5D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, SON-Leistungsblock 5 mm x 6 mm, 40 A CSD86356Q5D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, SON-Leistungsblock 5 mm x 6 mm, 40 A CSD86360Q5D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, SON-Leistungsblock 5 mm x 6 mm, 50 A CSD87312Q3E — 30 V, N-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, duale gemeinsame Quelle SON 3 mm x 3 mm, 38 mOhm CSD87313DMS — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, doppeltem gemeinsamen Drain SON 3 mm x 3 mm, 5,5 mOhm CSD87330Q3D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON 3 mm x 3 mm-Leistungsblock, 20 A CSD87331Q3D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON-Leistungsblock 3 mm x 3 mm, 15 A CSD87333Q3D — 30 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 3 mm x 3 mm-Leistungsblock, 15 A CSD87334Q3D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON-Leistungsblock 3 mm x 3 mm, 20 A CSD87335Q3D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON-Leistungsblock 3 mm x 3 mm, 25 A CSD87350Q5D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 40 A CSD87351Q5D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 32 A CSD87351ZQ5D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 32 A CSD87352Q5D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 25 A CSD87353Q5D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 40 A CSD87355Q5D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 45 A CSD87381P — 30 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 3 mm x 2,5 mm LGA, 15 A CSD87384M — 30 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 5 mm x 3,5 mm LGA, 30 A CSD87501L — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-Common-Drain-LGA, 5,5 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD87502Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SON 2 mm x 2, 42 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD87503Q3E — 30 V, N-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, duale gemeinsame Quelle SON 3 mm x 3 mm, 21,9 mOhm CSD87588N — 30 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 5 mm x 2,5 mm LGA, 25 A CSD88537ND — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SO-8, 15 mOhm CSD88539ND — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SO-8, 28 mOhm CSD88584Q5DC — 40 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 5 mm x 6 mm Dual-Cool™-Leistungsblock, CSD88599Q5DC — 60 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 5 mm x 6 mm-Dual-Cool™-Leistungsblock,
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Referenzdesigns

TIDA-01485 — Referenzdesign mit 36 V, 1 kW, 99 % Wirkungsgrad, 18 cm2-Leistungsstufe für dreiphasige BLDC-Motoren

Dieses Leistungsstufen-Referenzdesign für 1 kW erreicht einen Wirkungsgrad von 99 % für einen dreiphasigen bürstenlosen Gleichstrommotor (BLDC) mit 36 V, der in industriellen Anwendungen wie Elektrowerkzeugen eingesetzt wird, die mit einer 10-Zellen-Li-Ionen-Batterie arbeiten. Das Design (...)
Design guide: PDF
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