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CSD85312Q3E

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20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-Common-Quellen-SON, 3 mm x 3, 14 mOhm

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CSD85312Q3E

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Produktdetails

VDS (V) 20 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 14 VGSTH typ (typ) (V) 1.1 QG (typ) (nC) 11.7 QGD (typ) (nC) 1.6 QGS (typ) (nC) 3.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 39 ID - package limited (A) 39 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 20 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 14 VGSTH typ (typ) (V) 1.1 QG (typ) (nC) 11.7 QGD (typ) (nC) 1.6 QGS (typ) (nC) 3.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 39 ID - package limited (A) 39 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON (DPA) 8 10.89 mm² 3.3 x 3.3
  • Common Source Connection
  • Low Drain to Drain On-Resistance
  • Space Saving SON 3.3 × 3.3 mm Plastic
    Package
  • Optimized for 5 V Gate Drive
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Common Source Connection
  • Low Drain to Drain On-Resistance
  • Space Saving SON 3.3 × 3.3 mm Plastic
    Package
  • Optimized for 5 V Gate Drive
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free

The CSD85312Q3E is a 20 V common-source, dual N-channel device designed for adaptor or USB input protection. This SON 3.3 × 3.3 mm device has low drain to drain on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained multi-cell battery charging applications.

The CSD85312Q3E is a 20 V common-source, dual N-channel device designed for adaptor or USB input protection. This SON 3.3 × 3.3 mm device has low drain to drain on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained multi-cell battery charging applications.
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Typ Titel Datum
* Data sheet Dual 20 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs, CSD85312Q3E datasheet 08 Nov 2013
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Design und Entwicklung

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Evaluierungsplatine

TPS25830Q1EVM-040 — TPS25830-Q1-Evaluierungsmodul für USB Type-C® und BC1.2 mit Kabelkompensation und Strombegrenzung

Das TPS25830Q1EVM-040 ist ein Evaluierungsmodul (EVM) für synchrone Abwärtswandler für USB-Typ-C® und BC1.2 mit 5-V-/3,5-A-Ausgang und 36-V-Eingang sowie Kabelkompensation. Das EVM verfügt über einen Leistungsanschlussklemmenblock sowie USB-Typ-A- und USB Type-C-Anschlüsse zum Laden von Geräten und (...)

Benutzerhandbuch: PDF
Nicht verfügbar auf TI.com
Evaluierungsplatine

TPS25831Q1EVM-062 — TPS25831-Q1 USB Type-C und BC1.2 synchroner Abwärtswandler mit Kabelkompensation und Strombegrenzung

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Schritt 3: Laden Sie Design-Leitlinien und Anwendungshinweise herunter
Benutzerhandbuch: PDF
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Support-Software

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
Unterstützte Produkte und Hardware

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  • CSD13381F4 — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 12 V, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 180 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD13383F4 — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 44 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD13385F5 — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 12 V, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 19 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD15380F3 — 20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 1460 mOhm, Gate-ESD-Schutz
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  • CSD16321Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm
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  • CSD16327Q3 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 4,8 mOhm
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  • CSD16404Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 7,2 mOhm
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  • CSD16410Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12 mOhm
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  • CSD16414Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm
  • CSD16415Q5 — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 5 mm x 6 mm, 1,8 mOhm
  • CSD16556Q5B — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 5 mm x 6 mm, 1,5 mOhm
  • CSD16570Q5B — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 5 mm x 6 mm, 0,82 mOhm
  • CSD17301Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3 mOhm
  • CSD17302Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9 mOhm
  • CSD17303Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm
  • CSD17304Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 8,8 mOhm
  • CSD17305Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,6 mOhm
  • CSD17306Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,2 mOhm
  • CSD17307Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12,1 mOhm
  • CSD17308Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 11,8 mOhm
  • CSD17309Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6,3 mOhm
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  • CSD17311Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm
  • CSD17312Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,7 mOhm
  • CSD17313Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 32 mOhm
  • CSD17313Q2Q1 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET für die Automobilindustrie
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  • CSD17322Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12,4 mOhm
  • CSD17327Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 15,5 mOhm
  • CSD17381F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 117 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD17382F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 67 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD17483F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 260 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD17484F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 128 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD17501Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,9 mOhm
  • CSD17505Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,5 mOhm
  • CSD17506Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4 mOhm
  • CSD17507Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 10,8 mOhm
  • CSD17510Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,2 mOhm
  • CSD17522Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 8,1 mOhm
  • CSD17527Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 10,8 mOhm
  • CSD17551Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9 mOhm
  • CSD17551Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 8,8 mOhm
  • CSD17552Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6 mOhm
  • CSD17552Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,2 mOhm
  • CSD17553Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,1 mOhm
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  • CSD17577Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6,4 mOhm
  • CSD17577Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,8 mOhm
  • CSD17578Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9,4 mOhm
  • CSD17578Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,3 mOhm
  • CSD17579Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 14,2 mOhm
  • CSD17579Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 13,3 mOhm
  • CSD17581Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 4,7 mOhm
  • CSD17581Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,2 mOhm
  • CSD17585F5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 33 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD18501Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm
  • CSD18502KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,9 mOhm
  • CSD18502Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm
  • CSD18503KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 4,5 mOhm
  • CSD18503Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,3 mOhm
  • CSD18504KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 7 mOhm
  • CSD18504Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,6 mOhm
  • CSD18509Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,2 mOhm
  • CSD18510KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 1,7 mOhm
  • CSD18510KTT — 40 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 1,7 mOhm
  • CSD18510Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 0,96 mOhm
  • CSD18511KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,6 mOhm
  • CSD18511KTT — 40 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2,6 mOhm
  • CSD18511Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm
  • CSD18512Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,6 mOhm
  • CSD18513Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm
  • CSD18514Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm
  • CSD18531Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,6 mOhm
  • CSD18532KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 4,2 mOhm
  • CSD18532NQ5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm
  • CSD18532Q5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm
  • CSD18533KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 6,3 mOhm
  • CSD18533Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,9 mOhm
  • CSD18534KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 9,5 mOhm
  • CSD18534Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,8 mOhm
  • CSD18535KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 2 mOhm
  • CSD18535KTT — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2 mOhm
  • CSD18536KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 1,6 mOhm
  • CSD18536KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, 60 V, D2PAK, 1,6 mOhm
  • CSD18537NKCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 14 mOhm
  • CSD18537NQ5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 13 mOhm
  • CSD18540Q5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,2 mOhm
  • CSD18541F5 — 60 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1,5 mm x 0,8 mm, 65 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD18542KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 4 mOhm
  • CSD18542KTT — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 4 mOhm
  • CSD18543Q3A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9,9 mOhm
  • CSD18563Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,8 mOhm
  • CSD19501KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 6,6 mOhm
  • CSD19502Q5B — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,1 mOhm
  • CSD19503KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 9,2 mOhm
  • CSD19505KCS — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 3,1 mOhm
  • CSD19505KTT — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 3,1 mOhm
  • CSD19506KCS — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,3 mOhm
  • CSD19506KTT — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2,3 mOhm
  • CSD19531KCS — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-TO-220, 7,7 mOhm
  • CSD19531Q5A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,4 mOhm
  • CSD19532KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-D2PAK, 5,6 mOhm
  • CSD19532Q5B — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm
  • CSD19533KCS — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-TO-220, 10,5 mOhm
  • CSD19533Q5A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,5 mOhm
  • CSD19534KCS — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-TO-220, 16,5 mOhm
  • CSD19534Q5A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 15,1 mOhm
  • CSD19535KCS — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 3,6 mOhm
  • CSD19535KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-D2PAK, 3,4 mOhm
  • CSD19536KCS — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,7 mOhm
  • CSD19536KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-D2PAK, 2,4 mOhm
  • CSD19537Q3 — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 14,5 mOhm
  • CSD19538Q2 — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 59 mOhm
  • CSD19538Q3A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 61 mOhm
  • CSD83325L — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, duales LGA, 5,9 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD85301Q2 — 20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SON 2 mm x 2 mm, 27 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD85302L — 20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-Common-Drain-LGA 1,35 mm x 1,35 mm, 24 mOhm, Gate-ESD-S
  • CSD85312Q3E — 20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-Common-Quellen-SON, 3 mm x 3, 14 mOhm
  • CSD86311W1723 — 25 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, duale gemeinsame Quelle, WLP, 1,7 mm x 2,3 mm, 42 mOhm
  • CSD87312Q3E — 30 V, N-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, duale gemeinsame Quelle SON 3 mm x 3 mm, 38 mOhm
  • CSD87313DMS — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, doppeltem gemeinsamen Drain SON 3 mm x 3 mm, 5,5 mOhm
  • CSD87501L — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-Common-Drain-LGA, 5,5 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD87502Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SON 2 mm x 2, 42 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD87503Q3E — 30 V, N-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, duale gemeinsame Quelle SON 3 mm x 3 mm, 21,9 mOhm
  • CSD88537ND — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SO-8, 15 mOhm
  • CSD88539ND — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SO-8, 28 mOhm
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Simulationsmodell

CSD85312Q3E Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM095B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
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Berechnungstool

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
MOSFETs
  • CSD13201W10 — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1 mm, 34 mOhm
  • CSD13202Q2 — 12-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 9,3 mOhm
  • CSD13302W — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1 mm, 17,1 mOhm
  • CSD13303W1015 — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1,5 mm, 20 mOhm
  • CSD13306W — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1,5 mm, 10,2 mOhm
  • CSD13380F3 — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 12 V, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 76 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD13381F4 — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 12 V, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 180 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD13383F4 — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 44 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD13385F5 — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 12 V, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 19 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD15380F3 — 20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 1460 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD15571Q2 — 20-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 19,2 mOhm
  • CSD16301Q2 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 29 mOhm
  • CSD16321Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm
  • CSD16322Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,8 mOhm
  • CSD16323Q3 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 5,5 mOhm
  • CSD16325Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,2 mOhm
  • CSD16327Q3 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 4,8 mOhm
  • CSD16340Q3 — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 3 mm x 3 mm, 5,5 mOhm
  • CSD16342Q5A — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 5 mm x 6 mm, 5,5 mOhm
  • CSD16401Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm
  • CSD16403Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,7 mOhm
  • CSD16404Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 7,2 mOhm
  • CSD16406Q3 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 7,4 mOhm
  • CSD16407Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,3 mOhm
  • CSD16408Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,8 mOhm
  • CSD16409Q3 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 12,4 mOhm
  • CSD16410Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12 mOhm
  • CSD16411Q3 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 15 mOhm
  • CSD16412Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 16 mOhm
  • CSD16413Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,6 mOhm
  • CSD16414Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm
  • CSD16415Q5 — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 5 mm x 6 mm, 1,8 mOhm
  • CSD16556Q5B — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 5 mm x 6 mm, 1,5 mOhm
  • CSD16570Q5B — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 5 mm x 6 mm, 0,82 mOhm
  • CSD17301Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3 mOhm
  • CSD17302Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9 mOhm
  • CSD17303Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm
  • CSD17304Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 8,8 mOhm
  • CSD17305Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,6 mOhm
  • CSD17306Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,2 mOhm
  • CSD17307Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12,1 mOhm
  • CSD17308Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 11,8 mOhm
  • CSD17309Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6,3 mOhm
  • CSD17310Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,9 mOhm
  • CSD17311Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm
  • CSD17312Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,7 mOhm
  • CSD17313Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 32 mOhm
  • CSD17313Q2Q1 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET für die Automobilindustrie
  • CSD17318Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 16,9 mOhm
  • CSD17322Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12,4 mOhm
  • CSD17327Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 15,5 mOhm
  • CSD17381F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 117 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD17382F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 67 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD17483F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 260 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD17484F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 128 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD17501Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,9 mOhm
  • CSD17505Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,5 mOhm
  • CSD17506Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4 mOhm
  • CSD17507Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 10,8 mOhm
  • CSD17510Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,2 mOhm
  • CSD17522Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 8,1 mOhm
  • CSD17527Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 10,8 mOhm
  • CSD17551Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9 mOhm
  • CSD17551Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 8,8 mOhm
  • CSD17552Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6 mOhm
  • CSD17552Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,2 mOhm
  • CSD17553Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,1 mOhm
  • CSD17555Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,7 mOhm
  • CSD17556Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,8 mOhm
  • CSD17559Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,5 mOhm
  • CSD17570Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 0,92 mOhm
  • CSD17571Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 29 mOhm
  • CSD17573Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,45 mOhm
  • CSD17575Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 3,2 mOhm
  • CSD17576Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,9 mOhm
  • CSD17577Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6,4 mOhm
  • CSD17577Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,8 mOhm
  • CSD17578Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9,4 mOhm
  • CSD17578Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,3 mOhm
  • CSD17579Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 14,2 mOhm
  • CSD17579Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 13,3 mOhm
  • CSD17581Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 4,7 mOhm
  • CSD17581Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,2 mOhm
  • CSD17585F5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 33 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD18501Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm
  • CSD18502KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,9 mOhm
  • CSD18502Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm
  • CSD18503KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 4,5 mOhm
  • CSD18503Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,3 mOhm
  • CSD18504KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 7 mOhm
  • CSD18504Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,6 mOhm
  • CSD18509Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,2 mOhm
  • CSD18510KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 1,7 mOhm
  • CSD18510KTT — 40 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 1,7 mOhm
  • CSD18510Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 0,96 mOhm
  • CSD18511KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,6 mOhm
  • CSD18511KTT — 40 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2,6 mOhm
  • CSD18511Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm
  • CSD18512Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,6 mOhm
  • CSD18513Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm
  • CSD18514Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm
  • CSD18531Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,6 mOhm
  • CSD18532KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 4,2 mOhm
  • CSD18532NQ5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm
  • CSD18532Q5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm
  • CSD18533KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 6,3 mOhm
  • CSD18533Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,9 mOhm
  • CSD18534KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 9,5 mOhm
  • CSD18534Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,8 mOhm
  • CSD18535KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 2 mOhm
  • CSD18535KTT — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2 mOhm
  • CSD18536KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 1,6 mOhm
  • CSD18536KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, 60 V, D2PAK, 1,6 mOhm
  • CSD18537NKCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 14 mOhm
  • CSD18537NQ5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 13 mOhm
  • CSD18540Q5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,2 mOhm
  • CSD18541F5 — 60 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1,5 mm x 0,8 mm, 65 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD18542KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 4 mOhm
  • CSD18542KTT — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 4 mOhm
  • CSD18543Q3A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9,9 mOhm
  • CSD18563Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,8 mOhm
  • CSD19501KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 6,6 mOhm
  • CSD19502Q5B — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,1 mOhm
  • CSD19503KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 9,2 mOhm
  • CSD19505KCS — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 3,1 mOhm
  • CSD19505KTT — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 3,1 mOhm
  • CSD19506KCS — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,3 mOhm
  • CSD19506KTT — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2,3 mOhm
  • CSD19531KCS — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-TO-220, 7,7 mOhm
  • CSD19531Q5A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,4 mOhm
  • CSD19532KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-D2PAK, 5,6 mOhm
  • CSD19532Q5B — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm
  • CSD19533KCS — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-TO-220, 10,5 mOhm
  • CSD19533Q5A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,5 mOhm
  • CSD19534KCS — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-TO-220, 16,5 mOhm
  • CSD19534Q5A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 15,1 mOhm
  • CSD19535KCS — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 3,6 mOhm
  • CSD19535KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-D2PAK, 3,4 mOhm
  • CSD19536KCS — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,7 mOhm
  • CSD19536KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-D2PAK, 2,4 mOhm
  • CSD19537Q3 — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 14,5 mOhm
  • CSD19538Q2 — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 59 mOhm
  • CSD19538Q3A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 61 mOhm
  • CSD83325L — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, duales LGA, 5,9 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD85301Q2 — 20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SON 2 mm x 2 mm, 27 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD85302L — 20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-Common-Drain-LGA 1,35 mm x 1,35 mm, 24 mOhm, Gate-ESD-S
  • CSD85312Q3E — 20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-Common-Quellen-SON, 3 mm x 3, 14 mOhm
  • CSD86311W1723 — 25 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, duale gemeinsame Quelle, WLP, 1,7 mm x 2,3 mm, 42 mOhm
  • CSD86330Q3D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, SON-Leistungsblock 3 mm x 3 mm, 20 A
  • CSD86336Q3D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, SON-Leistungsblock 3 mm x 3 mm, 20 A
  • CSD86350Q5D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, SON-Leistungsblock 5 mm x 6 mm, 40 A
  • CSD86356Q5D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, SON-Leistungsblock 5 mm x 6 mm, 40 A
  • CSD86360Q5D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, SON-Leistungsblock 5 mm x 6 mm, 50 A
  • CSD87312Q3E — 30 V, N-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, duale gemeinsame Quelle SON 3 mm x 3 mm, 38 mOhm
  • CSD87313DMS — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, doppeltem gemeinsamen Drain SON 3 mm x 3 mm, 5,5 mOhm
  • CSD87330Q3D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON 3 mm x 3 mm-Leistungsblock, 20 A
  • CSD87331Q3D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON-Leistungsblock 3 mm x 3 mm, 15 A
  • CSD87333Q3D — 30 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 3 mm x 3 mm-Leistungsblock, 15 A
  • CSD87334Q3D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON-Leistungsblock 3 mm x 3 mm, 20 A
  • CSD87335Q3D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON-Leistungsblock 3 mm x 3 mm, 25 A
  • CSD87350Q5D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 40 A
  • CSD87351Q5D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 32 A
  • CSD87351ZQ5D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 32 A
  • CSD87352Q5D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 25 A
  • CSD87353Q5D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 40 A
  • CSD87355Q5D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 45 A
  • CSD87381P — 30 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 3 mm x 2,5 mm LGA, 15 A
  • CSD87384M — 30 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 5 mm x 3,5 mm LGA, 30 A
  • CSD87501L — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-Common-Drain-LGA, 5,5 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD87502Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SON 2 mm x 2, 42 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD87503Q3E — 30 V, N-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, duale gemeinsame Quelle SON 3 mm x 3 mm, 21,9 mOhm
  • CSD87588N — 30 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 5 mm x 2,5 mm LGA, 25 A
  • CSD88537ND — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SO-8, 15 mOhm
  • CSD88539ND — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SO-8, 28 mOhm
  • CSD88584Q5DC — 40 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 5 mm x 6 mm Dual-Cool™-Leistungsblock,
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Referenzdesigns

PMP40544 — Referenzdesign für USB-Typ-A-Ladegerät für den Automobilbereich mit 3-m-USB-IF-Near-End-Konformität

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Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
VSON (DPA) 8 Ultra Librarian
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