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CSD88584Q5DC

AKTIV

40 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 5 mm x 6 mm Dual-Cool™-Leistungsblock,

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Datenblatt

CSD88584Q5DC

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Produktdetails

VDS (V) 40 VGS (V) 20 Type Power block Configuration PowerBlock ID - continuous drain current at TA=25°C (A) 50 Power loss (W) 2.4 Ploss current (A) 35 Features Motor control Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 40 VGS (V) 20 Type Power block Configuration PowerBlock ID - continuous drain current at TA=25°C (A) 50 Power loss (W) 2.4 Ploss current (A) 35 Features Motor control Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON-CLIP (DMM) 22 30 mm² 6 x 5
  • Half-bridge power block
  • High-density SON 5mm × 6mm footprint
  • Low RDS(ON) for minimized conduction losses
    • 2.4W PLoss at 35A
  • DualCool™ thermally enhanced package
  • Ultra-low-inductance package
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • Lead-free terminal plating
  • Half-bridge power block
  • High-density SON 5mm × 6mm footprint
  • Low RDS(ON) for minimized conduction losses
    • 2.4W PLoss at 35A
  • DualCool™ thermally enhanced package
  • Ultra-low-inductance package
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • Lead-free terminal plating

The CSD88584Q5DC 40V power block is an optimized design for high-current motor control applications, such as handheld, cordless garden and power tools. This device utilizes TI’s patented stacked die technology in order to minimize parasitic inductances while offering a complete half bridge in a space saving thermally enhanced DualCool™ 5mm × 6mm package. With an exposed metal top, this power block device allows for simple heat sink application to draw heat out through the top of the package and away from the PCB, for superior thermal performance at the higher currents demanded by many motor control applications.

The CSD88584Q5DC 40V power block is an optimized design for high-current motor control applications, such as handheld, cordless garden and power tools. This device utilizes TI’s patented stacked die technology in order to minimize parasitic inductances while offering a complete half bridge in a space saving thermally enhanced DualCool™ 5mm × 6mm package. With an exposed metal top, this power block device allows for simple heat sink application to draw heat out through the top of the package and away from the PCB, for superior thermal performance at the higher currents demanded by many motor control applications.
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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
* Data sheet CSD88584Q5DC 40V Half-Bridge NexFET Power Block datasheet (Rev. E) PDF | HTML 23 Jun 2024
Application note MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 27 Okt 2025
Application note Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 25 Mär 2024
Application note QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) PDF | HTML 06 Dez 2023
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 31 Mai 2022
Technical article How to Select a MOSFET – Motor Control 24 Jan 2018
Technical article Improve the performance of your power tool design with power blocks PDF | HTML 14 Sep 2017
Technical article Demand for higher power density drives innovative power tool solution PDF | HTML 23 Mai 2017
Application note Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 16 Nov 2011

Design und Entwicklung

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Evaluierungsplatine

BOOSTXL-DRV8304H — DRV8304H – dreiphasiger Motortreiber – Evaluierungsmodul

Das Evaluierungsmodul (EVM) BOOSTXL-DRV8304HEVM ist eine 3-phasige bürstenlose 15-A-DC-Antriebsstufe basierend auf dem Gate-Treiber DRV8304H und A2-Doppelgehäuse-MOSFETs.  Das EVM verfügt über individuelle DC-Bus- und Phasenspannungserfassung sowie einzelne Low-Side-Strom-Shunt-Verstärker und ist (...)
Benutzerhandbuch: PDF
Nicht verfügbar auf TI.com
Evaluierungsplatine

DRV8306EVM — DRV8306-Evaluierungsmodul für dreiphasigen Smart-Gate-Treiber

Das DRV8306-Evaluierungsmodul (EVM) bietet ein Anwendungsplatinendesign zur einfachen Evaluierung des Bausteins DRV8306. Der DRV8306-Baustein ist ein Gate-Treiber-IC für dreiphasige Motorantriebsanwendungen. Der DRV8306-Baustein bietet drei hochpräzise getrimmte und temperaturkompensierte (...)
Benutzerhandbuch: PDF
Nicht verfügbar auf TI.com
Evaluierungsplatine

DRV8343H-Q1EVM — DRV8343H-Q1 – dreiphasiger Motortreiber für die Automobilindustrie – Evaluierungsmodul

Das DRV8343H-Q1EVM-Evaluierungsmodul ist eine Evaluierungsplattform für Treiber und Steuerungen hochkonfigurierbarer 3-phasiger bürstenloser Gleichstrommotoren (BLDC) mit 6 V bis 60 V und 20 A für 12-V- bis 24-V-Fahrzeugsysteme auf der Basis des intelligenten Gate-Treibers DRV8343H-Q1 für die (...)
Benutzerhandbuch: PDF
Nicht verfügbar auf TI.com
Evaluierungsplatine

DRV8343S-Q1EVM — DRV8343S-Q1 – dreiphasiger Motortreiber für die Automobilindustrie – Evaluierungsmodul

Das DRV8343S-Q1EVM-Evaluierungsmodul ist eine Evaluierungsplattform für Treiber und Steuerungen hochkonfigurierbarer 3-phasiger bürstenloser Gleichstrommotoren (BLDC) mit 6 V bis 60 V und 20 A für 12-V- bis 24-V-Fahrzeugsysteme auf der Basis des intelligenten Gate-Treibers DRV8343S-Q1 für die (...)
Benutzerhandbuch: PDF
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Simulationsmodell

CSD88584Q5DC Unencrypted PSpice Model Package (Rev. B)

SLPM326B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
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Berechnungstool

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for BLDC Motor Drive

This is an Excel-based MOSFET power loss calculator for brushless DC motor drive applications.
Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
MOSFETs
  • CSD13202Q2 — 12-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 9,3 mOhm
  • CSD15571Q2 — 20-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 19,2 mOhm
  • CSD16301Q2 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 29 mOhm
  • CSD16321Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm
  • CSD16322Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,8 mOhm
  • CSD16323Q3 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 5,5 mOhm
  • CSD16325Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,2 mOhm
  • CSD16327Q3 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 4,8 mOhm
  • CSD16340Q3 — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 3 mm x 3 mm, 5,5 mOhm
  • CSD16342Q5A — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 5 mm x 6 mm, 5,5 mOhm
  • CSD16401Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm
  • CSD16403Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,7 mOhm
  • CSD16404Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 7,2 mOhm
  • CSD16406Q3 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 7,4 mOhm
  • CSD16407Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,3 mOhm
  • CSD16408Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,8 mOhm
  • CSD16409Q3 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 12,4 mOhm
  • CSD16410Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12 mOhm
  • CSD16411Q3 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 15 mOhm
  • CSD16412Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 16 mOhm
  • CSD16413Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,6 mOhm
  • CSD16414Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm
  • CSD16415Q5 — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 5 mm x 6 mm, 1,8 mOhm
  • CSD16556Q5B — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 5 mm x 6 mm, 1,5 mOhm
  • CSD17301Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3 mOhm
  • CSD17302Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9 mOhm
  • CSD17303Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm
  • CSD17304Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 8,8 mOhm
  • CSD17305Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,6 mOhm
  • CSD17306Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,2 mOhm
  • CSD17307Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12,1 mOhm
  • CSD17308Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 11,8 mOhm
  • CSD17309Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6,3 mOhm
  • CSD17310Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,9 mOhm
  • CSD17311Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm
  • CSD17312Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,7 mOhm
  • CSD17313Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 32 mOhm
  • CSD17318Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 16,9 mOhm
  • CSD17322Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12,4 mOhm
  • CSD17327Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 15,5 mOhm
  • CSD17501Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,9 mOhm
  • CSD17505Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,5 mOhm
  • CSD17506Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4 mOhm
  • CSD17507Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 10,8 mOhm
  • CSD17510Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,2 mOhm
  • CSD17522Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 8,1 mOhm
  • CSD17527Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 10,8 mOhm
  • CSD17551Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9 mOhm
  • CSD17551Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 8,8 mOhm
  • CSD17552Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6 mOhm
  • CSD17552Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,2 mOhm
  • CSD17553Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,1 mOhm
  • CSD17555Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,7 mOhm
  • CSD17556Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,8 mOhm
  • CSD17559Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,5 mOhm
  • CSD17571Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 29 mOhm
  • CSD17573Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,45 mOhm
  • CSD17575Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 3,2 mOhm
  • CSD17576Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,9 mOhm
  • CSD17577Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6,4 mOhm
  • CSD17577Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,8 mOhm
  • CSD17578Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9,4 mOhm
  • CSD17578Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,3 mOhm
  • CSD17579Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 14,2 mOhm
  • CSD17579Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 13,3 mOhm
  • CSD17581Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 4,7 mOhm
  • CSD17581Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,2 mOhm
  • CSD18501Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm
  • CSD18502KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,9 mOhm
  • CSD18502Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm
  • CSD18503KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 4,5 mOhm
  • CSD18503Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,3 mOhm
  • CSD18504KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 7 mOhm
  • CSD18504Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,6 mOhm
  • CSD18509Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,2 mOhm
  • CSD18510KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 1,7 mOhm
  • CSD18510KTT — 40 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 1,7 mOhm
  • CSD18510Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 0,96 mOhm
  • CSD18511KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,6 mOhm
  • CSD18511KTT — 40 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2,6 mOhm
  • CSD18511Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm
  • CSD18512Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,6 mOhm
  • CSD18513Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm
  • CSD18514Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm
  • CSD18531Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,6 mOhm
  • CSD18532KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 4,2 mOhm
  • CSD18532NQ5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm
  • CSD18532Q5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm
  • CSD18533KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 6,3 mOhm
  • CSD18533Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,9 mOhm
  • CSD18534KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 9,5 mOhm
  • CSD18534Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,8 mOhm
  • CSD18535KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 2 mOhm
  • CSD18535KTT — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2 mOhm
  • CSD18536KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 1,6 mOhm
  • CSD18536KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, 60 V, D2PAK, 1,6 mOhm
  • CSD18537NKCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 14 mOhm
  • CSD18537NQ5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 13 mOhm
  • CSD18540Q5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,2 mOhm
  • CSD18542KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 4 mOhm
  • CSD18542KTT — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 4 mOhm
  • CSD18543Q3A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9,9 mOhm
  • CSD18563Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,8 mOhm
  • CSD19501KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 6,6 mOhm
  • CSD19502Q5B — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,1 mOhm
  • CSD19503KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 9,2 mOhm
  • CSD19505KCS — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 3,1 mOhm
  • CSD19505KTT — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 3,1 mOhm
  • CSD19506KCS — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,3 mOhm
  • CSD19506KTT — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2,3 mOhm
  • CSD19531KCS — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-TO-220, 7,7 mOhm
  • CSD19531Q5A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,4 mOhm
  • CSD19532KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-D2PAK, 5,6 mOhm
  • CSD19532Q5B — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm
  • CSD19533KCS — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-TO-220, 10,5 mOhm
  • CSD19533Q5A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,5 mOhm
  • CSD19534KCS — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-TO-220, 16,5 mOhm
  • CSD19534Q5A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 15,1 mOhm
  • CSD19535KCS — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 3,6 mOhm
  • CSD19535KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-D2PAK, 3,4 mOhm
  • CSD19536KCS — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,7 mOhm
  • CSD19536KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-D2PAK, 2,4 mOhm
  • CSD19537Q3 — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 14,5 mOhm
  • CSD19538Q2 — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 59 mOhm
  • CSD19538Q3A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 61 mOhm
  • CSD85301Q2 — 20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SON 2 mm x 2 mm, 27 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD87333Q3D — 30 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 3 mm x 3 mm-Leistungsblock, 15 A
  • CSD87334Q3D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON-Leistungsblock 3 mm x 3 mm, 20 A
  • CSD87353Q5D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 40 A
  • CSD87502Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SON 2 mm x 2, 42 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD88537ND — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SO-8, 15 mOhm
  • CSD88539ND — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SO-8, 28 mOhm
  • CSD88584Q5DC — 40 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 5 mm x 6 mm Dual-Cool™-Leistungsblock,
  • CSD88599Q5DC — 60 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 5 mm x 6 mm-Dual-Cool™-Leistungsblock,
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SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
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Produkte
MOSFETs
  • CSD13201W10 — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1 mm, 34 mOhm
  • CSD13202Q2 — 12-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 9,3 mOhm
  • CSD13302W — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1 mm, 17,1 mOhm
  • CSD13303W1015 — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1,5 mm, 20 mOhm
  • CSD13306W — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1,5 mm, 10,2 mOhm
  • CSD13380F3 — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 12 V, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 76 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD13381F4 — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 12 V, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 180 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD13383F4 — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 44 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD13385F5 — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 12 V, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 19 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD15380F3 — 20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 1460 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD15571Q2 — 20-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 19,2 mOhm
  • CSD16301Q2 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 29 mOhm
  • CSD16321Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm
  • CSD16322Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,8 mOhm
  • CSD16323Q3 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 5,5 mOhm
  • CSD16325Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,2 mOhm
  • CSD16327Q3 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 4,8 mOhm
  • CSD16340Q3 — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 3 mm x 3 mm, 5,5 mOhm
  • CSD16342Q5A — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 5 mm x 6 mm, 5,5 mOhm
  • CSD16401Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm
  • CSD16403Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,7 mOhm
  • CSD16404Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 7,2 mOhm
  • CSD16406Q3 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 7,4 mOhm
  • CSD16407Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,3 mOhm
  • CSD16408Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,8 mOhm
  • CSD16409Q3 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 12,4 mOhm
  • CSD16410Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12 mOhm
  • CSD16411Q3 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 15 mOhm
  • CSD16412Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 16 mOhm
  • CSD16413Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,6 mOhm
  • CSD16414Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm
  • CSD16415Q5 — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 5 mm x 6 mm, 1,8 mOhm
  • CSD16556Q5B — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 5 mm x 6 mm, 1,5 mOhm
  • CSD16570Q5B — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 5 mm x 6 mm, 0,82 mOhm
  • CSD17301Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3 mOhm
  • CSD17302Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9 mOhm
  • CSD17303Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm
  • CSD17304Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 8,8 mOhm
  • CSD17305Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,6 mOhm
  • CSD17306Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,2 mOhm
  • CSD17307Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12,1 mOhm
  • CSD17308Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 11,8 mOhm
  • CSD17309Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6,3 mOhm
  • CSD17310Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,9 mOhm
  • CSD17311Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm
  • CSD17312Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,7 mOhm
  • CSD17313Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 32 mOhm
  • CSD17313Q2Q1 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET für die Automobilindustrie
  • CSD17318Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 16,9 mOhm
  • CSD17322Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12,4 mOhm
  • CSD17327Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 15,5 mOhm
  • CSD17381F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 117 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD17382F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 67 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD17483F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 260 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD17484F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 128 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD17501Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,9 mOhm
  • CSD17505Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,5 mOhm
  • CSD17506Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4 mOhm
  • CSD17507Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 10,8 mOhm
  • CSD17510Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,2 mOhm
  • CSD17522Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 8,1 mOhm
  • CSD17527Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 10,8 mOhm
  • CSD17551Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9 mOhm
  • CSD17551Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 8,8 mOhm
  • CSD17552Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6 mOhm
  • CSD17552Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,2 mOhm
  • CSD17553Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,1 mOhm
  • CSD17555Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,7 mOhm
  • CSD17556Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,8 mOhm
  • CSD17559Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,5 mOhm
  • CSD17570Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 0,92 mOhm
  • CSD17571Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 29 mOhm
  • CSD17573Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,45 mOhm
  • CSD17575Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 3,2 mOhm
  • CSD17576Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,9 mOhm
  • CSD17577Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6,4 mOhm
  • CSD17577Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,8 mOhm
  • CSD17578Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9,4 mOhm
  • CSD17578Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,3 mOhm
  • CSD17579Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 14,2 mOhm
  • CSD17579Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 13,3 mOhm
  • CSD17581Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 4,7 mOhm
  • CSD17581Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,2 mOhm
  • CSD17585F5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 33 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD18501Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm
  • CSD18502KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,9 mOhm
  • CSD18502Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm
  • CSD18503KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 4,5 mOhm
  • CSD18503Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,3 mOhm
  • CSD18504KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 7 mOhm
  • CSD18504Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,6 mOhm
  • CSD18509Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,2 mOhm
  • CSD18510KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 1,7 mOhm
  • CSD18510KTT — 40 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 1,7 mOhm
  • CSD18510Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 0,96 mOhm
  • CSD18511KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,6 mOhm
  • CSD18511KTT — 40 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2,6 mOhm
  • CSD18511Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm
  • CSD18512Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,6 mOhm
  • CSD18513Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm
  • CSD18514Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm
  • CSD18531Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,6 mOhm
  • CSD18532KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 4,2 mOhm
  • CSD18532NQ5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm
  • CSD18532Q5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm
  • CSD18533KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 6,3 mOhm
  • CSD18533Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,9 mOhm
  • CSD18534KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 9,5 mOhm
  • CSD18534Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,8 mOhm
  • CSD18535KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 2 mOhm
  • CSD18535KTT — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2 mOhm
  • CSD18536KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 1,6 mOhm
  • CSD18536KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, 60 V, D2PAK, 1,6 mOhm
  • CSD18537NKCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 14 mOhm
  • CSD18537NQ5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 13 mOhm
  • CSD18540Q5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,2 mOhm
  • CSD18541F5 — 60 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1,5 mm x 0,8 mm, 65 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD18542KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 4 mOhm
  • CSD18542KTT — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 4 mOhm
  • CSD18543Q3A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9,9 mOhm
  • CSD18563Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,8 mOhm
  • CSD19501KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 6,6 mOhm
  • CSD19502Q5B — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,1 mOhm
  • CSD19503KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 9,2 mOhm
  • CSD19505KCS — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 3,1 mOhm
  • CSD19505KTT — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 3,1 mOhm
  • CSD19506KCS — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,3 mOhm
  • CSD19506KTT — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2,3 mOhm
  • CSD19531KCS — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-TO-220, 7,7 mOhm
  • CSD19531Q5A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,4 mOhm
  • CSD19532KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-D2PAK, 5,6 mOhm
  • CSD19532Q5B — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm
  • CSD19533KCS — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-TO-220, 10,5 mOhm
  • CSD19533Q5A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,5 mOhm
  • CSD19534KCS — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-TO-220, 16,5 mOhm
  • CSD19534Q5A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 15,1 mOhm
  • CSD19535KCS — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 3,6 mOhm
  • CSD19535KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-D2PAK, 3,4 mOhm
  • CSD19536KCS — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,7 mOhm
  • CSD19536KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-D2PAK, 2,4 mOhm
  • CSD19537Q3 — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 14,5 mOhm
  • CSD19538Q2 — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 59 mOhm
  • CSD19538Q3A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 61 mOhm
  • CSD83325L — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, duales LGA, 5,9 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD85301Q2 — 20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SON 2 mm x 2 mm, 27 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD85302L — 20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-Common-Drain-LGA 1,35 mm x 1,35 mm, 24 mOhm, Gate-ESD-S
  • CSD85312Q3E — 20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-Common-Quellen-SON, 3 mm x 3, 14 mOhm
  • CSD86311W1723 — 25 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, duale gemeinsame Quelle, WLP, 1,7 mm x 2,3 mm, 42 mOhm
  • CSD86330Q3D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, SON-Leistungsblock 3 mm x 3 mm, 20 A
  • CSD86336Q3D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, SON-Leistungsblock 3 mm x 3 mm, 20 A
  • CSD86350Q5D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, SON-Leistungsblock 5 mm x 6 mm, 40 A
  • CSD86356Q5D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, SON-Leistungsblock 5 mm x 6 mm, 40 A
  • CSD86360Q5D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, SON-Leistungsblock 5 mm x 6 mm, 50 A
  • CSD87312Q3E — 30 V, N-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, duale gemeinsame Quelle SON 3 mm x 3 mm, 38 mOhm
  • CSD87313DMS — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, doppeltem gemeinsamen Drain SON 3 mm x 3 mm, 5,5 mOhm
  • CSD87330Q3D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON 3 mm x 3 mm-Leistungsblock, 20 A
  • CSD87331Q3D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON-Leistungsblock 3 mm x 3 mm, 15 A
  • CSD87333Q3D — 30 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 3 mm x 3 mm-Leistungsblock, 15 A
  • CSD87334Q3D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON-Leistungsblock 3 mm x 3 mm, 20 A
  • CSD87335Q3D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON-Leistungsblock 3 mm x 3 mm, 25 A
  • CSD87350Q5D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 40 A
  • CSD87351Q5D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 32 A
  • CSD87351ZQ5D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 32 A
  • CSD87352Q5D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 25 A
  • CSD87353Q5D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 40 A
  • CSD87355Q5D — N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 30 V, SON 5 mm x 6 mm-Leistungsblock, 45 A
  • CSD87381P — 30 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 3 mm x 2,5 mm LGA, 15 A
  • CSD87384M — 30 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 5 mm x 3,5 mm LGA, 30 A
  • CSD87501L — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-Common-Drain-LGA, 5,5 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD87502Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SON 2 mm x 2, 42 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD87503Q3E — 30 V, N-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, duale gemeinsame Quelle SON 3 mm x 3 mm, 21,9 mOhm
  • CSD87588N — 30 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 5 mm x 2,5 mm LGA, 25 A
  • CSD88537ND — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SO-8, 15 mOhm
  • CSD88539ND — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SO-8, 28 mOhm
  • CSD88584Q5DC — 40 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 5 mm x 6 mm Dual-Cool™-Leistungsblock,
  • CSD88599Q5DC — 60 V, N-Kanal-Synchron-Abwärts-NexFET™-Leistungs-MOSFET, SON 5 mm x 6 mm-Dual-Cool™-Leistungsblock,
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Referenzdesigns

TIDA-00774 — Referenzdesign für hocheffizienten bürstenlosen Motorantrieb mit hoher Leistungsdichte, 18 V/1 kW, 1

Der TIDA-00774 ist ein 1-kW-Antrieb für einen dreiphasigen bürstenlosen Gleichstrommotor (Brushless DC, BLDC) in Elektrowerkzeugen, der mit einer 5-Zellen-Li-Ion-Batterie und einer Spannung von bis zu 21 V betrieben wird. Das Design beinhaltet einen kompakten Antrieb der Größe 65 mm x 60 mm, der (...)
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Referenzdesigns

TIDA-01516 — Referenzdesign für einzelne Mikrocontroller-18-V/600-W-BLDC-Motorsteuerung mit niederenergetischem B

Dieses Referenzdesign bietet eine Bluetooth®-5.0-SimpleLink™-Option mit besserer industrieller Rauschunempfindlichkeit, größerer Reichweite und weniger Stromverbrauch für industrielle Anwendungen wie Elektrowerkzeuge, die mit einer 5-Zellen-Li-Ionen-Batterie betrieben werden. Dieses (...)
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Referenzdesigns

TIDA-010072 — Referenzdesign zur Luftstrom- und Ventilsteuerung für Beatmungsanwendungen

Dieses Referenzdesign bietet ein kompaktes Systemdesign, das eine Motorbeschleunigung und -verzögerung von bis zu ± 200 kU/min unterstützt, was eine wichtige Anforderung in vielen Atemschutzanwendungen darstellt. Das Design unterstützt eine Reihe von Offboard-C2000-Controllern, darunter den (...)
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Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
VSON-CLIP (DMM) 22 Ultra Librarian
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