The CSD87312Q3E is a 30V common-source, dual N-channel device designed for adaptor/USB input protection. This SON 3.3 x 3.3mm device has low drain to drain on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained multi-cell battery charging applications.
| Top-Dokumentation | Typ | Titel | Format-Optionen | Neueste englische Version herunterladen | Datum |
|---|---|---|---|---|---|
| * | Datenblatt | Dual 30-V N-Channel NexFet Power MOSFET, CSD87312Q3E datasheet | 19.11.2011 | ||
| Anwendungshinweis | MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) | PDF | HTML | 27.10.2025 | ||
| Anwendungshinweis | Avoid Common Mistakes When Selecting And Designing With Power MOSFETs | PDF | HTML | 06.11.2024 | ||
| Anwendungshinweis | Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) | PDF | HTML | 25.03.2024 | ||
| Anwendungshinweis | Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design | PDF | HTML | 18.12.2023 | ||
| Anwendungshinweis | QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) | PDF | HTML | 06.12.2023 | ||
| Anwendungshinweis | Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design | PDF | HTML | 13.03.2023 | ||
| Application brief | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 31.05.2022 | ||
| Anwendungshinweis | Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs | 16.11.2011 |
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| Gehäuse | Pins | CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle |
|---|---|---|
| VSON (DPA) | 8 | Ultra Librarian |
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