CSD25485F5
-20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 42 mOhm, Gate-ESD-Schutz
CSD25485F5
- Low-on resistance
- Low Qg and Qgd
- Ultra-small footprint
- 1.53 mm × 0.77 mm
- 0.50-mm pad pitch
- Low profile
- 0.36-mm height
- Integrated ESD protection diode
- Rated > 4-kV HBM
- Rated > 2-kV CDM
- Lead and halogen free
- RoHS compliant
This 29.7-mΩ, –20-V, P-Channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a significant reduction in footprint size.
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Selbe Funktionalität wie der verglichene Baustein bei gleicher Anschlussbelegung
Technische Dokumentation
Typ | Titel | Datum | ||
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* | Data sheet | CSD25485F5 –20-V P-Channel FemtoFET™ MOSFET datasheet (Rev. B) | PDF | HTML | 09 Sep 2021 |
Application note | MOSFET Support and Training Tools (Rev. F) | PDF | HTML | 14 Jun 2024 | |
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Application brief | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 31 Mai 2022 | |
More literature | WCSP Handling Guide | 07 Nov 2019 | ||
EVM User's guide | Ultra-Small Footprint P-Channel FemtoFET™ MOSFET Test EVM | 06 Dez 2017 | ||
Design guide | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 07 Jul 2016 |
Design und Entwicklung
Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.
CSD25485F5 TINA-TI Reference Design
Gehäuse | Pins | CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle |
---|---|---|
PICOSTAR (YJK) | 3 | Ultra Librarian |
Bestellen & Qualität
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