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CSD25213W10

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-20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1 mm, 47 mOhm, Gate-ESD-Schutz

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CSD25213W10

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Produktdetails

VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 47 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 67 VGSTH typ (typ) (V) -0.85 QG (typ) (nC) 2.2 QGD (typ) (nC) 0.14 QGS (typ) (nC) 0.74 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 47 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 67 VGSTH typ (typ) (V) -0.85 QG (typ) (nC) 2.2 QGD (typ) (nC) 0.14 QGS (typ) (nC) 0.74 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZB) 4 1.5625 mm² (— mm × — mm)
  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Small Footprint 1mm × 1mm
  • Low Profile 0.62mm Height
  • Pb Free
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Gate ESD Protection
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Small Footprint 1mm × 1mm
  • Low Profile 0.62mm Height
  • Pb Free
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Gate ESD Protection
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free

The device has been designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra low profile.

The device has been designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra low profile.
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Technische Dokumentation

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* Datenblatt P-Channel NexFET™ Power MOSFET, CSD25213W10 datasheet 19.06.2013
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 31.10.2025
Anwendungshinweis MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 27.10.2025
Anwendungshinweis Avoid Common Mistakes When Selecting And Designing With Power MOSFETs PDF | HTML 06.11.2024
Anwendungshinweis Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 25.03.2024
Anwendungshinweis Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 18.12.2023
Anwendungshinweis Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 14.12.2023
Anwendungshinweis Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 13.03.2023
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 31.05.2022
Anwendungshinweis AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) 14.06.2019

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Support-Software

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Wägen Sie rasch Größe, Kosten und Leistung ab, um den optimalen MOSFET basierend auf den Anwendungsbedingungen auszuwählen.
Unterstützte Produkte und Hardware
Simulationsmodell

CSD25213W10 TINA-TI Spice Model

SLPM272.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice-Modell
Unterstützte Produkte und Hardware
Simulationsmodell

CSD25213W10 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM176B.ZIP (3 KB) - PSpice-Modell
Unterstützte Produkte und Hardware
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
DSBGA (YZB) 4 Ultra Librarian
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Support und Schulungen

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