CSD25213W10

Name: CSD25213W10
Brand: TI
SKU: CSD25213W10
Price: 0.066 USD

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-20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1 mm, 47 mOhm, Gate-ESD-Schutz

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Produktdetails

VDS (V)

-20

VGS (V)

-6

Type

P-channel

Configuration

Single

Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ)

Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ)

VGSTH typ (typ) (V)

-0.85

QG (typ) (nC)

2.2

QGD (typ) (nC)

0.14

QGS (typ) (nC)

0.74

ID - silicon limited at TC=25°C (A)

1.6

Logic level

Yes

Rating

Catalog

Operating temperature range (°C)

-55 to 150

VDS (V)

-20

VGS (V)

-6

Type

P-channel

Configuration

Single

Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ)

Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ)

VGSTH typ (typ) (V)

-0.85

QG (typ) (nC)

2.2

QGD (typ) (nC)

0.14

QGS (typ) (nC)

0.74

ID - silicon limited at TC=25°C (A)

1.6

Logic level

Yes

Rating

Catalog

Operating temperature range (°C)

-55 to 150

DSBGA (YZB)

1.5625 mm² 1.25 x 1.25

Ultra Low Qg and Qgd
Small Footprint 1mm × 1mm
Low Profile 0.62mm Height
Pb Free
Gate-Source Voltage Clamp
Gate ESD Protection
RoHS Compliant
Halogen Free

Ultra Low Qg and Qgd
Small Footprint 1mm × 1mm
Low Profile 0.62mm Height
Pb Free
Gate-Source Voltage Clamp
Gate ESD Protection
RoHS Compliant
Halogen Free

The device has been designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra low profile.

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