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CSD25402Q3A

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–20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 8,9 mOhm

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Datenblatt

CSD25402Q3A

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Produktdetails

VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 8.9 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 15.9 VGSTH typ (typ) (V) -0.9 QG (typ) (nC) 7.5 QGD (typ) (nC) 1.1 QGS (typ) (nC) 2.4 ID - silicon limited at TC=25°C (A) -72 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 8.9 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 15.9 VGSTH typ (typ) (V) -0.9 QG (typ) (nC) 7.5 QGD (typ) (nC) 1.1 QGS (typ) (nC) 2.4 ID - silicon limited at TC=25°C (A) -72 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSONP (DNH) 8 10.89 mm² 3.3 x 3.3
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Low RDS(on)
  • Pb and Halogen Free
  • RoHS Compliant
  • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Low RDS(on)
  • Pb and Halogen Free
  • RoHS Compliant
  • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package

This -20-V, 7.7-mΩ NexFET power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion load management applications with a SON 3.3 mm × 3.3 mm package that offers an excellent thermal performance for the size of the device.

This -20-V, 7.7-mΩ NexFET power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion load management applications with a SON 3.3 mm × 3.3 mm package that offers an excellent thermal performance for the size of the device.
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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
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Design und Entwicklung

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Support-Software

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
Unterstützte Produkte und Hardware

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Produkte
MOSFETs
  • CSD13201W10 — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1 mm, 34 mOhm
  • CSD13202Q2 — 12-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 9,3 mOhm
  • CSD13302W — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1 mm, 17,1 mOhm
  • CSD13303W1015 — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1,5 mm, 20 mOhm
  • CSD13306W — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1,5 mm, 10,2 mOhm
  • CSD13380F3 — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 12 V, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 76 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD13381F4 — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 12 V, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 180 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD13383F4 — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 44 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD13385F5 — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 12 V, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 19 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD15380F3 — 20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 1460 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD15571Q2 — 20-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 19,2 mOhm
  • CSD16301Q2 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 29 mOhm
  • CSD16321Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm
  • CSD16322Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,8 mOhm
  • CSD16323Q3 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 5,5 mOhm
  • CSD16325Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,2 mOhm
  • CSD16327Q3 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 4,8 mOhm
  • CSD16340Q3 — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 3 mm x 3 mm, 5,5 mOhm
  • CSD16342Q5A — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 5 mm x 6 mm, 5,5 mOhm
  • CSD16401Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm
  • CSD16403Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,7 mOhm
  • CSD16404Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 7,2 mOhm
  • CSD16406Q3 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 7,4 mOhm
  • CSD16407Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,3 mOhm
  • CSD16408Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,8 mOhm
  • CSD16409Q3 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 12,4 mOhm
  • CSD16410Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12 mOhm
  • CSD16411Q3 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 15 mOhm
  • CSD16412Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 16 mOhm
  • CSD16413Q5A — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,6 mOhm
  • CSD16414Q5 — 25-V-, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm
  • CSD16415Q5 — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 5 mm x 6 mm, 1,8 mOhm
  • CSD16556Q5B — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 5 mm x 6 mm, 1,5 mOhm
  • CSD16570Q5B — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 25 V, Einzel-SON, 5 mm x 6 mm, 0,82 mOhm
  • CSD17301Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3 mOhm
  • CSD17302Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9 mOhm
  • CSD17303Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm
  • CSD17304Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 8,8 mOhm
  • CSD17305Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,6 mOhm
  • CSD17306Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,2 mOhm
  • CSD17307Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12,1 mOhm
  • CSD17308Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 11,8 mOhm
  • CSD17309Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6,3 mOhm
  • CSD17310Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,9 mOhm
  • CSD17311Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm
  • CSD17312Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,7 mOhm
  • CSD17313Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 32 mOhm
  • CSD17318Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 16,9 mOhm
  • CSD17322Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12,4 mOhm
  • CSD17327Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 15,5 mOhm
  • CSD17381F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 117 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD17382F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 67 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD17483F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 260 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD17484F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 128 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD17501Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,9 mOhm
  • CSD17505Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,5 mOhm
  • CSD17506Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4 mOhm
  • CSD17507Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 10,8 mOhm
  • CSD17510Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,2 mOhm
  • CSD17522Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 8,1 mOhm
  • CSD17527Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 10,8 mOhm
  • CSD17551Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9 mOhm
  • CSD17551Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 8,8 mOhm
  • CSD17552Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6 mOhm
  • CSD17552Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,2 mOhm
  • CSD17553Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,1 mOhm
  • CSD17555Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,7 mOhm
  • CSD17556Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,8 mOhm
  • CSD17559Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,5 mOhm
  • CSD17570Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 0,92 mOhm
  • CSD17571Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 29 mOhm
  • CSD17573Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,45 mOhm
  • CSD17575Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 3,2 mOhm
  • CSD17576Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,9 mOhm
  • CSD17577Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6,4 mOhm
  • CSD17577Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,8 mOhm
  • CSD17578Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9,4 mOhm
  • CSD17578Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,3 mOhm
  • CSD17579Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 14,2 mOhm
  • CSD17579Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 13,3 mOhm
  • CSD17581Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 4,7 mOhm
  • CSD17581Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,2 mOhm
  • CSD17585F5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 33 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD18501Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm
  • CSD18502KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,9 mOhm
  • CSD18502Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm
  • CSD18503KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 4,5 mOhm
  • CSD18503Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,3 mOhm
  • CSD18504KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 7 mOhm
  • CSD18504Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,6 mOhm
  • CSD18509Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,2 mOhm
  • CSD18510KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 1,7 mOhm
  • CSD18510KTT — 40 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 1,7 mOhm
  • CSD18510Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 0,96 mOhm
  • CSD18511KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,6 mOhm
  • CSD18511KTT — 40 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2,6 mOhm
  • CSD18511Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm
  • CSD18512Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,6 mOhm
  • CSD18513Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm
  • CSD18514Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm
  • CSD18531Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,6 mOhm
  • CSD18532KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 4,2 mOhm
  • CSD18532NQ5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm
  • CSD18532Q5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm
  • CSD18533KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 6,3 mOhm
  • CSD18533Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,9 mOhm
  • CSD18534KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 9,5 mOhm
  • CSD18534Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,8 mOhm
  • CSD18535KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 2 mOhm
  • CSD18535KTT — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2 mOhm
  • CSD18536KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 1,6 mOhm
  • CSD18536KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, 60 V, D2PAK, 1,6 mOhm
  • CSD18537NKCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 14 mOhm
  • CSD18537NQ5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 13 mOhm
  • CSD18540Q5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,2 mOhm
  • CSD18541F5 — 60 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1,5 mm x 0,8 mm, 65 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD18542KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 4 mOhm
  • CSD18542KTT — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 4 mOhm
  • CSD18543Q3A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9,9 mOhm
  • CSD18563Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,8 mOhm
  • CSD19501KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 6,6 mOhm
  • CSD19502Q5B — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,1 mOhm
  • CSD19503KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 9,2 mOhm
  • CSD19505KCS — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 3,1 mOhm
  • CSD19505KTT — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 3,1 mOhm
  • CSD19506KCS — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,3 mOhm
  • CSD19506KTT — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2,3 mOhm
  • CSD19531KCS — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-TO-220, 7,7 mOhm
  • CSD19531Q5A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,4 mOhm
  • CSD19532KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-D2PAK, 5,6 mOhm
  • CSD19532Q5B — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm
  • CSD19533KCS — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-TO-220, 10,5 mOhm
  • CSD19533Q5A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,5 mOhm
  • CSD19534KCS — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-TO-220, 16,5 mOhm
  • CSD19534Q5A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 15,1 mOhm
  • CSD19535KCS — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 3,6 mOhm
  • CSD19535KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-D2PAK, 3,4 mOhm
  • CSD19536KCS — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,7 mOhm
  • CSD19536KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-D2PAK, 2,4 mOhm
  • CSD19537Q3 — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 14,5 mOhm
  • CSD19538Q2 — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 59 mOhm
  • CSD19538Q3A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 61 mOhm
  • CSD22202W15 — -8 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1,5 mm x 1,5 mm, 12,2 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD22204W — -8 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1,5 mm x 1,5 mm, 9,9 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD22205L — -8V, P-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Single-LGA 1,2 mm x 1,2 mm, 9,9 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD22206W — -8 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1,5 mm x 1,5 mm, 5,7 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD23202W10 — P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, – 12 V, Einzel-WLP 1 mm x 1 mm, 53 mΩ, Gate-ESD-Schutz
  • CSD23203W — -8 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1,5 mm, 19,4 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD23280F3 — P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, – 12 V, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 116 mΩ, Gate-ESD-Schutz
  • CSD23285F5 — P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, – 12 V, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 35 mΩ, Gate-ESD-Schutz
  • CSD23381F4 — P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, – 12 V, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 175 mΩ, Gate-ESD-Schutz
  • CSD23382F4 — P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, – 12 V, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 76 mΩ, Gate-ESD-Schutz
  • CSD25202W15 — -20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1,5 mm x 1,5 mm, 26 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD25211W1015 — -20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1,5 mm, 33 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD25213W10 — -20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1 mm, 47 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD25304W1015 — -20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1,5 mm, 32,5 mOhm
  • CSD25310Q2 — –20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 23,9 mOhm
  • CSD25402Q3A — –20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 8,9 mOhm
  • CSD25404Q3 — –20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6,5 mOhm
  • CSD25480F3 — -20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 159 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD25481F4 — -20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 105 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD25483F4 — -20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 245 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD25484F4 — -20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 109 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD25485F5 — -20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 42 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD25501F3 — -20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 76 mOhm, Gate-ESD-Schutz
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Simulationsmodell

CSD25402Q3A Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM096B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
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Referenzdesigns

TIDA-00179 — Referenzdesign für universelle digitale Schnittstelle zur Anbindung von Absolutwertgebern

TIDA-00179 ist eine EMC-konforme digitale Universalschnittstelle zum Anschluss von Absolutwertgebern wie EnDat 2.2, Biss®, SSI oder HIPERFACE DSL®. Dieses Referenzdesign unterstützt einen großen Eingangsspannungsbereich von 15 V bis 60 V (24 V nom). Ein Anschluss mit 3,3-V-Logik-E/A-Signalen (...)
Design guide: PDF
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Referenzdesigns

PMP9769 — Referenzdesign für eCall-Stromversorgung für die Automobilindustrie mit niedriger mittlerer Spannung

Dieses Referenzdesign beinhaltet eine komplette Power-Management-Lösung für ein eigenständiges Notrufsystem (eCall) in Automobilumgebungen. Der Schaltkreis wird direkt von der Fahrzeugbatterieschiene gespeist. Er übernimmt auch die Verwaltung einer Stützbatterie zur Stromversorgung des (...)
Test report: PDF
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Referenzdesigns

PMP30528 — Referenzdesign für Superkondensator-Backup-Stromversorgung für E-Meter

Dieses Referenzdesign stellt bei Stromunterbrechungen automatisch Stützspannungen an ein Elektroskop bereit. Während die Eingangsspannung zwischen 10 V und 12 V liegt, erzeugen zwei Abwärtsregler (TPS62147, TPS62173) 3,9 V bei 2 A und 5 V bei 150 mA. Ein optionaler synchroner Aufwärtswandler (...)
Test report: PDF
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Referenzdesigns

PMP21103 — Referenzdesign für PoE-PD (12 V/2,5 A) der Klasse 5 mit nahtlosem Übergang zu Hilfsstromversorgung

Dieses Referenzdesign implementiert ein mit IEEE802.3bt konformes Powe-over-Ethernet-Powered-Device (PoE-PD) der Klasse 5 mit reibungslosem Übergang zwischen dem PoE-Eingang und einer an den Ausgang angeschlossenen Zusatzstromversorgung.  Das Design besteht aus einem 12-V-/2,5-A-Durchflusswandler (...)
Test report: PDF
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Referenzdesigns

TIDA-01586 — Referenzdesign für IR-LED-Beleuchtung und ICR-Steuerung für IP-Netzwerkkameras mit Tag- und Nachtsic

Dieses Referenzdesign zeigt ein Infrarot-LED-Beleuchtungs-Subsystem für IP (Internet Protocol)-Netzwerkkameras mit Tag- und Nachtsicht. Das System verfügt über eine Schnittfiltersteuerung, LED-Dimmung, Umgebungslichtmessung und ein Vorschaltgerät für den Strom jeder IR-LED-Kette. Die (...)
Design guide: PDF
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Referenzdesigns

PMP10594 — 97% Wirkungsgrad, 125 W, Referenzdesign für synchrones 4-Schalter-Abwärts-/Aufwärtsladegerät

Das PMP10594 ist ein Referenzdesign für einen synchronen Abwärts-/Aufwärtswandler mit 4 Schaltern, das den LM5175-Controller für Batterieladeranwendungen nutzt. Der Sollwert der Ausgangsspannung kann über ein PWM-Signal im Bereich von 7,1 bis 9,2 V eingestellt werden. Die I2C-Programmierung (...)
Test report: PDF
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Referenzdesigns

PMP40069 — Tragbarer DLP Pico-Projektor mit 5–20 Vin, 3-Zellen-Batterielader – Referenzdesign

Das PMP40069 ist ein Referenzdesign für tragbare DLP-Pico-Projektoren. Es verfügt außerdem über ein Ladegerät für 3-zellige Batterien.  Die Batterie versorgt den Projektor mit Strom, wenn der Adapter nicht verfügbar ist. Die Lösung implementiert DLPA3000 PMIC/LED-Treiber, DLPC3438 (...)
Test report: PDF
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Referenzdesigns

PMP9768 — Referenzdesign für eCall-Stromversorgung mit hoher Zwischenspannung

Dieses Referenzdesign beinhaltet eine komplette Power-Management-Lösung für ein eigenständiges Notrufsystem (eCall) in Automobilumgebungen. Der Schaltkreis wird direkt von der Fahrzeugbatterieschiene gespeist. Er übernimmt auch die Verwaltung einer Stützbatterie zur Stromversorgung des (...)
Test report: PDF
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Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
VSONP (DNH) 8 Ultra Librarian
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