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CSD25211W1015

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-20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1,5 mm, 33 mOhm, Gate-ESD-Schutz

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Datenblatt

CSD25211W1015

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Produktdetails

VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 33 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 44 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 3.4 QGD (typ) (nC) 0.2 QGS (typ) (nC) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.2 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 33 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 44 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 3.4 QGD (typ) (nC) 0.2 QGS (typ) (nC) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.2 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZC) 6 2.1875 mm² 1.75 x 1.25
  • Ultra-low on resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Small footprint 1.0 mm × 1.5 mm
  • Low profile 0.62 mm height
  • Pb Free
  • Gate-source voltage clamp
  • Gate ESD protection – 3 kV
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • Ultra-low on resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Small footprint 1.0 mm × 1.5 mm
  • Low profile 0.62 mm height
  • Pb Free
  • Gate-source voltage clamp
  • Gate ESD protection – 3 kV
  • RoHS compliant
  • Halogen free

The device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile.

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Technische Dokumentation

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LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
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CSD25211W1015 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM338A.ZIP (4 KB) - PSpice Model
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Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
DSBGA (YZC) 6 Ultra Librarian
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