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CSD25501F3

AKTIV

-20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 76 mOhm, Gate-ESD-Schutz

Produktdetails

VDS (V) -20 VGS (V) -20 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 76 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 125 VGSTH typ (typ) (V) -0.75 QG (typ) (nC) 1.02 QGD (typ) (nC) 0.09 QGS (typ) (nC) 0.45 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -20 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 76 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 125 VGSTH typ (typ) (V) -0.75 QG (typ) (nC) 1.02 QGD (typ) (nC) 0.09 QGS (typ) (nC) 0.45 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJN) 3 0.414 mm² 0.69 x 0.6
  • Low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Ultra-small footprint
    • 0.7mm × 0.6mm
  • Low profile
    • 0.22mm max height
  • Integrated ESD protection diode
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Ultra-small footprint
    • 0.7mm × 0.6mm
  • Low profile
    • 0.22mm max height
  • Integrated ESD protection diode
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This –20V, 64mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size. The integrated 10kΩ clamp resistor (RC) allows the gate voltage (VGS) to be operated above the maximum internal gate oxide value of –6V, depending on duty cycle. The gate leakage (IGSS) through the diode increases as VGS is increased above –6V.

This –20V, 64mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size. The integrated 10kΩ clamp resistor (RC) allows the gate voltage (VGS) to be operated above the maximum internal gate oxide value of –6V, depending on duty cycle. The gate leakage (IGSS) through the diode increases as VGS is increased above –6V.

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Technische Dokumentation

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Design guide FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 07 Jul 2016

Design und Entwicklung

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Support-Software

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Simulationsmodell

CSD25501F3 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM337A.ZIP (4 KB) - PSpice Model
Referenzdesigns

TIDA-010070 — Referenzdesign für geschützte DC-Bus-Stromversorgung und -Steuerung für Niederspannungs-Servoantrieb

Dieses Referenzdesign verwendet einen ORing-Controller, den LM5050-1, zum Schutz gegen Verpolung und Gegenstrom. In Verbindung wird der LM5069-Hot-Swap-Controller für Überstrom-, Überspannungs- und Unterspannungsschutz sowie Einschaltstrombegrenzung verwendet. Außerdem verfügt das Design über (...)
Design guide: PDF
Schaltplan: PDF
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
PICOSTAR (YJN) 3 Ultra Librarian

Bestellen & Qualität

Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

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