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CSD85302L

ACTIVO

MOSFET de potencia NexFET™ de 20 V y canal N, LGA de drenado común doble de 1.35 mm x 1.35 mm, 24 mO

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CSD85302L

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Detalles del producto

VDS (V) 20 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Drain Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 24 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 36 VGSTH typ (typ) (V) 0.9 QG (typ) (nC) 6 QGD (typ) (nC) 1.4 QGS (typ) (nC) 1.2 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 7 ID - package limited (A) 7 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 20 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Drain Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 24 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 36 VGSTH typ (typ) (V) 0.9 QG (typ) (nC) 6 QGD (typ) (nC) 1.4 QGS (typ) (nC) 1.2 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 7 ID - package limited (A) 7 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YME) 4 1.7161 mm² 1.31 x 1.31
  • Common Drain Configuration
  • Low On-Resistance
  • Small Footprint of 1.35 mm × 1.35 mm
  • Pb Free and Halogen Free
  • RoHS Compliant
  • ESD HBM Protection >2.5 kV
  • Common Drain Configuration
  • Low On-Resistance
  • Small Footprint of 1.35 mm × 1.35 mm
  • Pb Free and Halogen Free
  • RoHS Compliant
  • ESD HBM Protection >2.5 kV

This 20 V, 18.7 mΩ, 1.35 mm × 1.35 mm LGA Dual NexFET power MOSFET is designed to minimize resistance in the smallest footprint. Its small footprint and common drain configuration make the device ideal for battery-powered applications in small handheld devices.

This 20 V, 18.7 mΩ, 1.35 mm × 1.35 mm LGA Dual NexFET power MOSFET is designed to minimize resistance in the smallest footprint. Its small footprint and common drain configuration make the device ideal for battery-powered applications in small handheld devices.
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Documentación técnica

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Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
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Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)/reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

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