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MOSFET

CSD87312Q3E

ACTIVO

MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON de fuente común de 3 mm x 3 mm, 38 mOhm

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CSD87312Q3E

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Detalles del producto

VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 38 VGSTH typ (typ) (V) 1 QG (typ) (nC) 6.3 QGD (typ) (nC) 0.7 QGS (typ) (nC) 1.9 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 27 ID - package limited (A) 27 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 38 VGSTH typ (typ) (V) 1 QG (typ) (nC) 6.3 QGD (typ) (nC) 0.7 QGS (typ) (nC) 1.9 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 27 ID - package limited (A) 27 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON (DPA) 8 10.89 mm² (3.3 mm × 3.3 mm)
  • Common Source Connection
  • Ultra Low Drain to Drain On-Resistance
  • Space Saving SON 3.3 x 3.3mm Plastic Package
  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Common Source Connection
  • Ultra Low Drain to Drain On-Resistance
  • Space Saving SON 3.3 x 3.3mm Plastic Package
  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free

The CSD87312Q3E is a 30V common-source, dual N-channel device designed for adaptor/USB input protection. This SON 3.3 x 3.3mm device has low drain to drain on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained multi-cell battery charging applications.

The CSD87312Q3E is a 30V common-source, dual N-channel device designed for adaptor/USB input protection. This SON 3.3 x 3.3mm device has low drain to drain on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained multi-cell battery charging applications.
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* Hoja de datos Dual 30-V N-Channel NexFet Power MOSFET, CSD87312Q3E datasheet 19/11/2011
Nota sobre la aplicación MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 27/10/2025
Nota sobre la aplicación Avoid Common Mistakes When Selecting And Designing With Power MOSFETs PDF | HTML 6/11/2024
Nota sobre la aplicación Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 25/03/2024
Nota sobre la aplicación Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 18/12/2023
Nota sobre la aplicación QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) PDF | HTML 6/12/2023
Nota sobre la aplicación Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 13/03/2023
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 31/05/2022
Nota sobre la aplicación Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 16/11/2011

Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

Soporte de software

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
Productos y hardware compatibles
Modelo de simulación

CSD87312Q3E Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM061B.ZIP (4 KB) - Modelo PSpice
Productos y hardware compatibles
Herramienta de cálculo

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
Productos y hardware compatibles
Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
VSON (DPA) 8 Ultra Librarian
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.

Soporte y capacitación

Foros de TI E2E™ con asistencia técnica de los ingenieros de TI

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