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CSD83325L

ACTIVO

MOSFET de potencia NexFET™ de 12 V y canal N, LGA doble, 5,9 mOhm, protección contra ESD de puerta

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CSD83325L

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Detalles del producto

VDS (V) 12 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Drain Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 5.9 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 12.1 VGSTH typ (typ) (V) 0.95 QG (typ) (nC) 8.4 QGD (typ) (nC) 1.9 QGS (typ) (nC) 2.2 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 8 ID - package limited (A) 8 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 12 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Drain Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 5.9 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 12.1 VGSTH typ (typ) (V) 0.95 QG (typ) (nC) 8.4 QGD (typ) (nC) 1.9 QGS (typ) (nC) 2.2 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 8 ID - package limited (A) 8 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJE) 6 2.3976 mm² 2.16 x 1.11
  • Common drain configuration
  • Low-on resistance
  • Small footprint of 2.2 mm × 1.15 mm
  • Lead free
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • Gate ESD protection
  • Common drain configuration
  • Low-on resistance
  • Small footprint of 2.2 mm × 1.15 mm
  • Lead free
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • Gate ESD protection

This 12-V, 9.9-mΩ, 2.2-mm × 1.15-mm LGA Dual NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance and gate charge in a small footprint. Its small footprint and common drain configuration make the device ideal for battery pack applications in small handheld devices.

This 12-V, 9.9-mΩ, 2.2-mm × 1.15-mm LGA Dual NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance and gate charge in a small footprint. Its small footprint and common drain configuration make the device ideal for battery pack applications in small handheld devices.
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Documentación técnica

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Documentación principal Tipo Título Opciones de formato Fecha
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Diseño y desarrollo

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PICOSTAR (YJE) 6 Ultra Librarian
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Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)/reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

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