Inicio Administración de potencia MOSFET
Inicio
Administración de potencia
MOSFET

CSD25211W1015

ACTIVO

MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, WLP simple de 1 mm x 1,5 mm, 33 mOhm, protección cont

Haga su pedido ahora
Hoja de datos

CSD25211W1015

ACTIVO
Hoja de datos Haga su pedido ahora

Detalles del producto

VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 33 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 44 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 3.4 QGD (typ) (nC) 0.2 QGS (typ) (nC) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.2 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 33 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 44 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 3.4 QGD (typ) (nC) 0.2 QGS (typ) (nC) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.2 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZC) 6 2.1875 mm² 1.75 x 1.25
  • Ultra-low on resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Small footprint 1.0 mm × 1.5 mm
  • Low profile 0.62 mm height
  • Pb Free
  • Gate-source voltage clamp
  • Gate ESD protection – 3 kV
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • Ultra-low on resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Small footprint 1.0 mm × 1.5 mm
  • Low profile 0.62 mm height
  • Pb Free
  • Gate-source voltage clamp
  • Gate ESD protection – 3 kV
  • RoHS compliant
  • Halogen free

The device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile.

The device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile.
filter Buscar otro/a MOSFET
Descargar Ver vídeo con transcripción Video

Productos similares que pueden interesarle

open-in-new Comparar alternativas
Pin por pin con la misma funcionalidad que el dispositivo comparado
CSD25304W1015 ACTIVO MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, WLP simple de 1 mm x 1,5 mm, 32,5 mOhm Similar resistances and charge

Documentación técnica

star =Principal documentación para este producto seleccionada por TI
No se encontraron resultados. Borre su búsqueda y vuelva a intentarlo.
Ver todo 11
Documentación principal Tipo Título Opciones de formato Fecha
* Data sheet CSD25211W1015, P-Channel NexFET Power MOSFET datasheet (Rev. B) PDF | HTML 16 sep 2022
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 31 oct 2025
Application note MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 27 oct 2025
Application note Avoid Common Mistakes When Selecting And Designing With Power MOSFETs PDF | HTML 06 nov 2024
Application note Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 25 mar 2024
Application note Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 18 dic 2023
Application note Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 14 dic 2023
Application note Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 13 mar 2023
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 31 may 2022
More literature WCSP Handling Guide 07 nov 2019
Application note AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) 14 jun 2019

Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

Soporte de software

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
Productos y hardware compatibles

Productos y hardware compatibles
Descargar
Modelo de simulación

CSD25211W1015 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM338A.ZIP (4 KB) - PSpice Model
Descargar
Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
DSBGA (YZC) 6 Ultra Librarian
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)/reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Soporte y capacitación

Foros de TI E2E™ con asistencia técnica de los ingenieros de TI

Ver todos los temas del foro en inglés

El contenido lo proporcionan “tal como está” TI y los colaboradores de la comunidad y no constituye especificaciones de TI. Consulte los términos de uso.

Si tiene alguna pregunta sobre calidad, encapsulados o pedido de productos de TI, consulte el servicio de asistencia de TI. ​​​​​​​​​​​​​​

Videos