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CSD22202W15

ACTIVO

MOSFET de potencia NexFET™ de -8 V y canal P, WLP simple de 1,5 mm x 1,5 mm, 12,2 mOhm, protección c

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Detalles del producto

VDS (V) -8 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 12.2 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 17.4 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 6.5 QGD (typ) (nC) 1 QGS (typ) (nC) 1.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 10 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -8 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 12.2 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 17.4 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 6.5 QGD (typ) (nC) 1 QGS (typ) (nC) 1.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 10 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZF) 9 3.0625 mm² 1.75 x 1.75
  • Low Resistance
  • Small Footprint 1.5 mm × 1.5 mm
  • Pb Free
  • Gate ESD Protection
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Low Resistance
  • Small Footprint 1.5 mm × 1.5 mm
  • Pb Free
  • Gate ESD Protection
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Gate-Source Voltage Clamp

The device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery operated space constrained applications.

The device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery operated space constrained applications.

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Documentación técnica

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Documentación principal Tipo Título Opciones de formato Fecha
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Diseño y desarrollo

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Soporte de software

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
Productos y hardware compatibles

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Modelo de simulación

CSD22202W15 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM141B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
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Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
DSBGA (YZF) 9 Ultra Librarian
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)/reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.

Soporte y capacitación

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