表 6-65 および 表 6-66 に、GPMC および NAND フラッシュ - 非同期モードのタイミング要件とスイッチング特性を示します。
表 6-65 GPMC および NAND フラッシュのタイミング要件 – 非同期モード 図 6-63 参照
| 番号 |
パラメータ |
説明 |
最小値 |
最大値 |
単位 |
| GNF12(1) |
tacc(d) |
アクセス時間、入力データ GPMC_AD[15:0] |
|
J(2) |
ns |
(1) GNF12 パラメータは、入力データを内部的にサンプリングするために必要な時間を示します。これは、GPMC 機能クロック サイクル数で表されます。読み取りサイクルの開始から GNF12 機能クロック サイクル経過後、入力データはアクティブな機能クロック エッジによって内部的にサンプリングされます。GNF12 の値は、AccessTime レジスタ ビット フィールドに保存する必要があります。
(2) J = AccessTime × (TimeParaGranularity + 1) × GPMC_FCLK
(3)
(3) GPMC_FCLK は、汎用メモリ コントローラの内部機能クロック周期で、ns 単位です。
表 6-66 GPMC および NAND フラッシュのスイッチング特性 – 非同期モード 図 6-61、図 6-62、図 6-63、図 6-64 を参照
| 番号 |
パラメータ |
最小値 |
最大値 |
単位 |
| GNF0 |
tw(wenV) |
パルス幅、出力書き込みイネーブル GPMC_WEn 有効 |
A(1) |
|
ns |
| GNF1 |
td(csnV-wenV) |
遅延時間、出力チップ セレクト GPMC_CSn[i](12) 有効から出力書き込みイネーブル GPMC_WEn 有効まで |
B - 2(2) |
B + 2 |
ns |
| GNF2 |
tw(cleH-wenV) |
遅延時間、出力下位バイト イネーブルおよびコマンド ラッチ イネーブル GPMC_BE0n_CLE high から出力書き込みイネーブル GPMC_WEn 有効まで |
C - 2(3) |
C + 2 |
ns |
| GNF3 |
tw(wenV-dV) |
遅延時間、出力データ GPMC_AD[15:0] 有効から出力書き込みイネーブル GPMC_WEn 有効まで |
D - 2 (4) |
D + 2 |
ns |
| GNF4 |
tw(wenIV-dIV) |
遅延時間、出力書き込みイネーブル GPMC_WEn 無効から出力データ GPMC_AD[15:0] 無効まで |
E - 2(5) |
E + 2 |
ns |
| GNF5 |
tw(wenIV-cleIV) |
遅延時間、出力書き込みイネーブル GPMC_WEn 無効から下位バイト イネーブルおよびコマンド ラッチ イネーブル GPMC_BE0n_CLE 無効まで |
F - 2 |
F + 2 |
ns |
| GNF6 |
tw(wenIV-CSn[i]V) |
遅延時間、出力書き込みイネーブル GPMC_WEn 無効から出力チップ セレクト GPMC_CSn[i](12) 無効まで |
G - 2 |
G + 2 |
ns |
| GNF7 |
tw(aleH-wenV) |
遅延時間、出力アドレス有効およびアドレス ラッチ イネーブル GPMC_ADVn_ALE high から出力書き込み イネーブル GPMC_WEn 有効まで |
C - 2 (3) |
C + 2 |
ns |
| GNF8 |
tw(wenIV-aleIV) |
遅延時間、出力書き込みイネーブル GPMC_WEn 無効から出力アドレス有効およびアドレス ラッチ イネーブル GPMC_ADVn_ALE 無効まで |
F - 2(6) |
F + 2 |
ns |
| GNF9 |
tc(wen) |
サイクル時間、書き込み |
|
H(7) |
ns |
| GNF10 |
td(csnV-oenV) |
遅延時間、出力チップ セレクト GPMC_CSn[i](12) 有効から出力イネーブル GPMC_OEn_REn 有効まで |
I - 2(8) |
I + 2 |
ns |
| GNF13 |
tw(oenV) |
パルス幅、出力イネーブル GPMC_OEn_REn 有効 |
|
K(9) |
ns |
| GNF14 |
tc(oen) |
サイクル時間、読み取り |
L(10) |
|
ns |
| GNF15 |
tw(oenIV-CSn[i]V) |
遅延時間、出力イネーブル GPMC_OEn_REn 無効から出力チップ セレクト GPMC_CSn[i](12) 無効まで |
M - 2(11) |
M + 2 |
ns |
(1) A = (WEOffTime - WEOnTime) × (TimeParaGranularity + 1) × GPMC_FCLK
(13)
(2) B = ((WEOnTime - CSOnTime) × (TimeParaGranularity + 1) + 0.5 × (WEExtraDelay - CSExtraDelay)) × GPMC_FCLK
(13)
(3) C = ((WEOnTime - ADVOnTime) × (TimeParaGranularity + 1) + 0.5 × (WEExtraDelay - ADVExtraDelay)) × GPMC_FCLK
(13) 注:DeviceType の場合:NAND
- コマンド ラッチ サイクル中:CLE 信号は、ADVOnTime および ADVWrOffTime のタイミング パラメータによって制御されます
- アドレス ラッチ サイクル中:ALE 信号は、ADVOnTime および ADVWrOffTime のタイミング パラメータで制御されます。
(4) D = (WEOnTime × (TimeParaGranularity + 1) + 0.5 × WEExtraDelay) × GPMC_FCLK
(13)
(5) E = ((WrCycleTime - WEOffTime) × (TimeParaGranularity + 1) - 0.5 × WEExtraDelay) × GPMC_FCLK
(13)
(6) F = ((ADVWrOffTime - WEOffTime) × (TimeParaGranularity + 1) + 0.5 × (ADVExtraDelay - WEExtraDelay)) × GPMC_FCLK
(13) 注:DeviceType の場合:NAND
- コマンド ラッチ サイクル中:CLE 信号は、ADVOnTime および ADVWrOffTime のタイミング パラメータによって制御されます
- アドレス ラッチ サイクル中:ALE 信号は、ADVOnTime および ADVWrOffTime のタイミング パラメータで制御されます。
(7) H = WrCycleTime × (1 + TimeParaGranularity) × GPMC_FCLK
(13)
(8) I = ((OEOnTime - CSOnTime) × (TimeParaGranularity + 1) + 0.5 × (OEExtraDelay - CSExtraDelay)) × GPMC_FCLK
(13)
(9) K = (OEOffTime - OEOnTime) × (1 + TimeParaGranularity) × GPMC_FCLK
(13)
(10) L = RdCycleTime × (1 + TimeParaGranularity) × GPMC_FCLK
(13)
(11) M = ((CSRdOffTime - OEOffTime) × (TimeParaGranularity + 1) + 0.5 × (CSExtraDelay - OEExtraDelay)) × GPMC_FCLK
(13)
(12) GPMC_CSn[i] で、i は 0、1、2、または 3 です。
(13) GPMC_FCLK は、汎用メモリ コントローラの内部機能クロック周期で、ns 単位です。