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CSD19531Q5A

アクティブ

5mm x 6mm のシングル SON 封止、6.4mΩ、100V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) 100 Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 6.4 IDM - pulsed drain current (max) (A) 337 QG (typ) (nC) 37 QGD (typ) (nC) 6.6 QGS (typ) (nC) 10.5 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 2.7 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 110 ID - package limited (A) 100 Logic level No Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VDS (V) 100 Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 6.4 IDM - pulsed drain current (max) (A) 337 QG (typ) (nC) 37 QGD (typ) (nC) 6.6 QGS (typ) (nC) 10.5 VGS (V) 20 VGSTH typ (typ) (V) 2.7 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 110 ID - package limited (A) 100 Logic level No Operating temperature range (°C) -55 to 150 Rating Catalog
VSONP (DQJ) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package

This 100 V, 5.3 mΩ, SON 5 mm × 6 mm NexFET power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

Typical RθJA = 40°C/W on a 1−inch2, 2-oz. Cu pad on a 0.06−inch thick FR4 PCB. Max RθJC = 1.0°C/W, pulse duration ≤100 μs, duty cycle ≤1%

For all available packages, see the orderable addendum at the end of the data sheet.

This 100 V, 5.3 mΩ, SON 5 mm × 6 mm NexFET power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

Typical RθJA = 40°C/W on a 1−inch2, 2-oz. Cu pad on a 0.06−inch thick FR4 PCB. Max RθJC = 1.0°C/W, pulse duration ≤100 μs, duty cycle ≤1%

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技術資料

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設計および開発

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ドーター・カード

UCC24636EVM — UCC24636 同期整流器ドータ・ボード / 評価モジュール

The UCC24636EVM is a demonstration daughter board that allows quick installation into an existing DCM Flyback power supply to convert an output diode rectifier into a synchronous rectifier to improve efficiency. The board is programmed by the user and may be wired directly into the output stage, (...)
ユーザー・ガイド: PDF
サポート・ソフトウェア

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

SLPC019A.ZIP (375 KB)
シミュレーション・モデル

CSD19531Q5A TINA-TI Spice Model (Rev. A)

SLPM111A.TSM (16 KB) - TINA-TI Spice Model
シミュレーション・モデル

CSD19531Q5A Unencrypted PSpice Model (Rev. C)

SLPM077C.ZIP (5 KB) - PSpice Model
計算ツール

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for motor drive applications

これは、ブラシレス DC モーター・ドライブ・アプリケーションを想定した、Excel ベースの MOSFET 電力損失カリキュレータです。
計算ツール

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
計算ツール

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 同期整流方式昇圧コンバータの電力損失計算ツール

同期昇圧コンバータ・アプリケーション向けの MOSFET 電力損失計算機
計算ツール

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 同期降圧コンバータ・アプリケーション向けの MOSFET 電力損失計算機

サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
計算ツール

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 同期整流用の電力損失計算ツール

同期整流器アプリケーション向けの MOSFET 電力損失カリキュレータ

多くの TI リファレンス・デザインには、CSD19531Q5A があります。

TI のリファレンス・デザイン・セレクション・ツールを使用すると、開発中のアプリケーションやパラメータとの適合度が最も高いデザインの確認と特定を進めることができます。

パッケージ ピン数 ダウンロード
VSONP (DQJ) 8 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材料 (内容)
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ Forums (英語) では、TI のエンジニアからの技術サポートが活用できます

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