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CSD17585F5

アクティブ

ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.8mm x 1.5mm のシングル LGA、33mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 27 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 33 VGSTH typ (typ) (V) 1.3 QG (typ) (nC) 1.9 QGD (typ) (nC) 0.39 QGS (typ) (nC) 0.53 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 5.9 ID - package limited (A) 5.9 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 27 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 33 VGSTH typ (typ) (V) 1.3 QG (typ) (nC) 1.9 QGD (typ) (nC) 0.39 QGS (typ) (nC) 0.53 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 5.9 ID - package limited (A) 5.9 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJK) 3 1.0877 mm² 1.49 x 0.73
  • 低いオン抵抗
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 極めて小さいフットプリント
    • 1.53mm × 0.77mm
  • 薄型
    • 高さ 0.36mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
    • HBM 定格 4kV 超
    • CDM 定格 2kV 超
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS 準拠
  • 低いオン抵抗
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 極めて小さいフットプリント
    • 1.53mm × 0.77mm
  • 薄型
    • 高さ 0.36mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
    • HBM 定格 4kV 超
    • CDM 定格 2kV 超
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS 準拠

この 30V、22mΩ、N チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えることで、フットプリント・サイズを大幅に低減できます。

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この 30V、22mΩ、N チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えることで、フットプリント・サイズを大幅に低減できます。

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技術資料

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* データシート CSD17585F5 30V N チャネル FemtoFET™ MOSFET データシート (Rev. C 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2022年 9月 2日
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アプリケーション概要 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
その他の技術資料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
設計ガイド FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016年 7月 7日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N チャネルの評価基板

FemtoFET N チャネル向けのこの評価基板 (EVM) には 7 枚のドーター カードが付属しており、各カードには FemtoFET N チャネルの異なる型番が記載されています。  ドーター カードを使用すると、エンジニアはこれらの超小型デバイスを簡単に接続してテストすることができます。  7 個の FemtoFET は 12V ~ 60V の範囲の VDS (ドレイン ソース間電圧) に対応しており、デバイスのサイズは F3 (0.6 x 0.7mm)、F4 (0.6 x 1.0mm)、F5 (0.8 x 1.5mm) のいずれかです。

ユーザー ガイド: PDF
サポート・ソフトウェア

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

サポート・ソフトウェア

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

シミュレーション・モデル

CSD17585F5 TINA-TI Reference Design

SLPM261.TSC (517 KB) - TINA-TI Reference Design
シミュレーション・モデル

CSD17585F5 TINA-TI Spice Model

SLPM262.ZIP (10 KB) - TINA-TI Spice Model
シミュレーション・モデル

CSD17585F5 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM242A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
計算ツール

FET-SOA-CALC-SELECT MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

計算ツール

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
PICOSTAR (YJK) 3 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブ拠点
  • アセンブリ拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

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