CSD17585F5

アクティブ

ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.8mm x 1.5mm のシングル LGA 封止、33mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 33 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 27 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 34 QG typ (nC) 1.9 QGD typ (nC) 0.39 Package (mm) LGA 1.5x0.8mm VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.3 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 5.9 ID - package limited (A) 5.9 Logic level Yes
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 33 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 27 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 34 QG typ (nC) 1.9 QGD typ (nC) 0.39 Package (mm) LGA 1.5x0.8mm VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.3 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 5.9 ID - package limited (A) 5.9 Logic level Yes
  • 低いオン抵抗
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 極めて小さいフットプリント
    • 1.53mm × 0.77mm
  • 薄型
    • 高さ 0.36mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
    • HBM 定格 4kV 超
    • CDM 定格 2kV 超
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS 準拠
  • 低いオン抵抗
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 極めて小さいフットプリント
    • 1.53mm × 0.77mm
  • 薄型
    • 高さ 0.36mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
    • HBM 定格 4kV 超
    • CDM 定格 2kV 超
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS 準拠

この 30V、22mΩ、N チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えることで、フットプリント・サイズを大幅に低減できます。

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この 30V、22mΩ、N チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えることで、フットプリント・サイズを大幅に低減できます。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
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設計および開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

評価ボード

CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N チャネル評価モジュール

This FemtoFET N-ch EVM includes seven daughter cards, each card containing a different FemtoFET N-ch part number.  The daughter cards allow the engineer to easily connect and test these tiny devices.  The seven FemtoFETs range from 12V to 40V Vds, and the size of the devices include F3 (...)
TI.com で取り扱いなし
サポート・ソフトウェア

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

SLPC019A.ZIP (375 KB)
シミュレーション・モデル

CSD17585F5 Unencrypted PSpice Model (Rev. A) CSD17585F5 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

シミュレーション・モデル

CSD17585F5 TINA-TI Reference Design CSD17585F5 TINA-TI Reference Design

シミュレーション・モデル

CSD17585F5 TINA-TI Spice Model CSD17585F5 TINA-TI Spice Model

計算ツール

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
計算ツール

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC 同期降圧コンバータ・アプリケーション向けの MOSFET 電力損失計算機

サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
パッケージ ピン数 ダウンロード
(YJK) 3 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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