CSD19532Q5B
- Low Qg and Qgd
- Low Thermal Resistance
- Avalanche Rated
- Pb-Free Terminal Plating
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
This 100 V, 4 mΩ, SON 5-mm × 6-mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.
技術資料
種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
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* | データシート | CSD19532Q5B 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET データシート (Rev. B) | PDF | HTML | 2017年 6月 13日 | ||
アプリケーション・ノート | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022年 5月 31日 | |||
技術記事 | What’s not in the power MOSFET data sheet, part 1: temperature dependency | 2020年 12月 30日 | ||||
技術記事 | Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs | 2019年 2月 8日 | ||||
アプリケーション・ノート | QFN and SON PCB Attachment (Rev. B) | PDF | HTML | 2018年 8月 24日 | |||
技術記事 | How to select a MOSFET - Hot Swap | 2018年 4月 6日 | ||||
アプリケーション・ノート | Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. C) | PDF | HTML | 2016年 4月 19日 | |||
技術記事 | When to use load switches in place of discrete MOSFETs | 2016年 2月 3日 | ||||
アプリケーション・ノート | Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs | 2011年 11月 16日 |
設計および開発
追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。
BQ76942EVM — 3S ~ 10S (10 個の直列)、リチウムイオン、リチウムポリマ、LiFePO4 向けバッテリ・モニタとプロテクタの EVM (評価基板)
BQ76942EVM 評価基板 (EVM) は、3 セル~ 10 セルのリチウムイオン・バッテリ・モニタ IC である BQ76942 向けの包括的な評価システムです。この EVM は、BQ76942 のモニタ機能をシンプルに評価する目的で使用する BQ76942 回路モジュールを採用しています。この回路モジュールは、1 個の BQ76942 IC、センス抵抗、複数のサーミスタ、複数のパワー FET に加えて、10 (...)
DRV8353RH-EVM — DRV8353RH evaluation module, three-phase brushless DC smart gate driver
The DRV8353RH-EVM is a 15A, 3-phase brushless DC drive stage based on the DRV8353RH gate driver and CSD19532Q5B NexFET™ MOSFETs.
The module has individual DC bus and phase voltage sense as well as individual low-side current shunt amplifiers, making this evaluation module ideal for sensorless BLDC (...)
DRV8353RS-EVM — DRV8353RS evaluation module, three-phase brushless DC smart gate driver
The DRV8353RS-EVM is a 15A, 3-phase brushless DC drive stage based on the DRV8353RS gate driver and CSD19532Q5B NexFET™ MOSFETs.
The module has individual DC bus and phase voltage sense as well as individual low-side current shunt amplifiers, making this evaluation module ideal for sensorless BLDC (...)
MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for motor drive applications
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 同期降圧コンバータ・アプリケーション向けの MOSFET 電力損失計算機
TI のリファレンス・デザイン・セレクション・ツールを使用すると、開発中のアプリケーションやパラメータとの適合度が最も高いデザインの確認と特定を進めることができます。
パッケージ | ピン数 | ダウンロード |
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(DNK) | 8 | オプションの表示 |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL rating / リフローピーク温度
- MTBF/FIT 推定値
- 原材料組成
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。