CSD19532Q5B

アクティブ

5mm x 6mm のシングル SON 封止、4.9mΩ、100V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) 100 Configuration Single Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 4.9 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 48 QGD typ (nC) 8.7 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 2.6 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 140 ID - package limited (A) 100 Logic level No
VDS (V) 100 Configuration Single Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 4.9 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 48 QGD typ (nC) 8.7 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 2.6 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 140 ID - package limited (A) 100 Logic level No
  • Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package

This 100 V, 4 mΩ, SON 5-mm × 6-mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

This 100 V, 4 mΩ, SON 5-mm × 6-mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

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技術資料

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* データシート CSD19532Q5B 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET データシート (Rev. B) PDF | HTML 2017年 6月 13日
アプリケーション・ノート Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
技術記事 What’s not in the power MOSFET data sheet, part 1: temperature dependency 2020年 12月 30日
技術記事 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 8日
アプリケーション・ノート QFN and SON PCB Attachment (Rev. B) PDF | HTML 2018年 8月 24日
技術記事 How to select a MOSFET - Hot Swap 2018年 4月 6日
アプリケーション・ノート Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. C) PDF | HTML 2016年 4月 19日
技術記事 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
アプリケーション・ノート Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 2011年 11月 16日

設計および開発

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評価ボード

BQ76942EVM — 3S ~ 10S (10 個の直列)、リチウムイオン、リチウムポリマ、LiFePO4 向けバッテリ・モニタとプロテクタの EVM (評価基板)

BQ76942EVM 評価基板 (EVM) は、3 セル~ 10 セルのリチウムイオン・バッテリ・モニタ IC である BQ76942 向けの包括的な評価システムです。この EVM は、BQ76942 のモニタ機能をシンプルに評価する目的で使用する BQ76942 回路モジュールを採用しています。この回路モジュールは、1 個の BQ76942 IC、センス抵抗、複数のサーミスタ、複数のパワー FET に加えて、10 (...)

TI.com で取り扱いなし
評価ボード

DRV8353RH-EVM — DRV8353RH evaluation module, three-phase brushless DC smart gate driver

The DRV8353RH-EVM is a 15A, 3-phase brushless DC drive stage based on the DRV8353RH gate driver and CSD19532Q5B NexFET™ MOSFETs.

The module has individual DC bus and phase voltage sense as well as individual low-side current shunt amplifiers, making this evaluation module ideal for sensorless BLDC (...)

評価ボード

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TI.com で取り扱いなし
サポート・ソフトウェア

Power Loss Calculation Tool for Load Switch

SLPC019.ZIP (338 KB)
シミュレーション・モデル

CSD19532Q5B Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM094A.ZIP (4 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル

CSD19532Q5B TINA-TI Spice Model

SLPM230.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice Model
計算ツール

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for motor drive applications

これは、ブラシレス DC モーター・ドライブ・アプリケーションを想定した、Excel ベースの MOSFET 電力損失カリキュレータです。
計算ツール

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
計算ツール

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 同期整流方式昇圧コンバータの電力損失計算ツール

同期昇圧コンバータ・アプリケーション向けの MOSFET 電力損失計算機
計算ツール

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 同期降圧コンバータ・アプリケーション向けの MOSFET 電力損失計算機

サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
計算ツール

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 同期整流用の電力損失計算ツール

同期整流器アプリケーション向けの MOSFET 電力損失カリキュレータ
TI リファレンス・デザインの内容: CSD19532Q5B

TI のリファレンス・デザイン・セレクション・ツールを使用すると、開発中のアプリケーションやパラメータとの適合度が最も高いデザインの確認と特定を進めることができます。

パッケージ ピン数 ダウンロード
(DNK) 8 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ Forums (英語) では、TI のエンジニアからの技術サポートが活用できます

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