CSD19534Q5A
- Ultra-Low Qg and Qgd
- Low Thermal Resistance
- Avalanche Rated
- Pb-Free Terminal Plating
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- SON 5 mm × 6 mm Plastic Package
This 100 V, 12.6 mΩ, SON 5 mm × 6mm NexFET power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.
Top View For all available packages, see the orderable addendum at the end of the data sheet. Typical RθJA = 40°C/W on a 1-inch2, 2-oz. Cu pad on a 0.06-inch thick FR4 PCB. Max RθJC = 2.0°C/W, pulse duration ≤100 μs, duty cycle ≤1%技術資料
= TI が選定したこの製品の主要ドキュメント
結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアして、もう一度検索を行ってください。
9 をすべて表示 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
---|---|---|---|---|---|---|
* | データシート | CSD19534Q5A 100 V N-Channel NexFET Power MOSFETs データシート | PDF | HTML | 2014年 5月 9日 | ||
アプリケーション・ノート | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022年 5月 31日 | |||
ホワイト・ペーパー | Power Electronics in Motor Drives: Where is it? (Rev. A) | 2019年 10月 1日 | ||||
技術記事 | Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs | 2019年 2月 8日 | ||||
アプリケーション・ノート | QFN and SON PCB Attachment (Rev. B) | PDF | HTML | 2018年 8月 24日 | |||
アプリケーション・ノート | Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. C) | PDF | HTML | 2016年 4月 19日 | |||
技術記事 | When to use load switches in place of discrete MOSFETs | 2016年 2月 3日 | ||||
技術記事 | 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly | 2015年 10月 8日 | ||||
アプリケーション・ノート | Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs | 2011年 11月 16日 |
設計および開発
追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。
シミュレーション・モデル
CSD19534Q5A Unencrypted PSpice Model Package (Rev. B)
SLPM119B.ZIP (5 KB) - PSpice Model
計算ツール
MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for motor drive applications
これは、ブラシレス DC モーター・ドライブ・アプリケーションを想定した、Excel ベースの MOSFET 電力損失カリキュレータです。
計算ツール
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
計算ツール
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 同期降圧コンバータ・アプリケーション向けの MOSFET 電力損失計算機
サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
TI のリファレンス・デザイン・セレクション・ツールを使用すると、開発中のアプリケーションやパラメータとの適合度が最も高いデザインの確認と特定を進めることができます。
パッケージ | ピン数 | ダウンロード |
---|---|---|
(DQJ) | 8 | オプションの表示 |
購入と品質
記載されている情報:
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL rating / リフローピーク温度
- MTBF/FIT 推定値
- 原材料組成
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。