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ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1mm x 0.6mm のシングル LGA 封止、260mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

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製品詳細

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 260 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 230 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 5 QG typ (nC) 1.01 QGD typ (nC) 0.13 Package (mm) LGA 1.0x0.6mm VGS (V) 12 VGSTH typ (V) 0.85 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 1.5 ID - package limited (A) 1.5 Logic level Yes
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 260 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 230 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 5 QG typ (nC) 1.01 QGD typ (nC) 0.13 Package (mm) LGA 1.0x0.6mm VGS (V) 12 VGSTH typ (V) 0.85 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 1.5 ID - package limited (A) 1.5 Logic level Yes
  • 低オン抵抗
  • 低い Qg および Qgd
  • 低いスレッショルド電圧
  • 非常に小さな外形 (0402 ケース・サイズ)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄型プロファイル
    • 高さ 0.36mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
    • HBM 定格 4kV 超
    • CDM 定格 2kV 超
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS 準拠
  • 低オン抵抗
  • 低い Qg および Qgd
  • 低いスレッショルド電圧
  • 非常に小さな外形 (0402 ケース・サイズ)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄型プロファイル
    • 高さ 0.36mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
    • HBM 定格 4kV 超
    • CDM 定格 2kV 超
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS 準拠

この 200mΩ、30V N チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、占有面積を 60% 以上減らすことができます。

この 200mΩ、30V N チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、占有面積を 60% 以上減らすことができます。
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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート CSD17483F4 30V N チャネル FemtoFET MOSFET データシート (Rev. F 翻訳版) 英語版をダウンロード (Rev.F) 2022年 4月 12日
その他の技術資料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
技術記事 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 8日
設計ガイド Design Summary FemtoFET SMT (Rev. D) 2016年 7月 7日
技術記事 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技術記事 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日
アプリケーション・ノート Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 2011年 11月 16日

設計および開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

サポート・ソフトウェア

Power Loss Calculation Tool for Load Switch

SLPC019.ZIP (338 KB)
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シミュレーション・モデル

CSD17483F4 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM078B.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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シミュレーション・モデル

CSD17483F4 TINA-TI Spice Model (Rev. A)

SLPM084A.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
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計算ツール

MOSFET-LOSS-CALC — 電力損失計算ツール、MOSFET 製品用

The MOSFET-LOSS-CALC is an Excel based tool that allows users to estimate power loss in a synchronous buck converter based on system and MOSFET parameters. For help selecting a discrete MOSFET or power block solution for your buck converter application, check out our Buck Converter NexFET™ (...)
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計算ツール

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
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計算ツール

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 同期降圧コンバータ・アプリケーション向けの MOSFET 電力損失計算機

サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
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TI リファレンス・デザインの内容： CSD17483F4

TI のリファレンス・デザイン・セレクション・ツールを使用すると、開発中のアプリケーションやパラメータとの適合度が最も高いデザインの確認と特定を進めることができます。
リファレンス・デザインを表示
パッケージ ピン数 ダウンロード
(YJC) 3 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ Forums (英語) では、TI のエンジニアからの技術サポートが活用できます

英語で投稿されたすべてのフォーラムトピックを表示

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

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