CSD13385F5

アクティブ

ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.8mm x 1.5mm のシングル LGA 封止、19mΩ、12V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) 12 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 19 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 41 QG typ (nC) 3.9 QGD typ (nC) 0.39 Package (mm) LGA 1.5x0.8mm VGS (V) 8 VGSTH typ (V) 0.8 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 7.1 ID - package limited (A) 7.1 Logic level Yes
VDS (V) 12 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 19 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 41 QG typ (nC) 3.9 QGD typ (nC) 0.39 Package (mm) LGA 1.5x0.8mm VGS (V) 8 VGSTH typ (V) 0.8 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 7.1 ID - package limited (A) 7.1 Logic level Yes
  • 低いオン抵抗
  • 低い Qg および Qgd
  • 極めて小さいフットプリント
    • 1.53mm × 0.77mm
  • 薄型
    • 高さ 0.36mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
    • HBM 定格 4kV 超
    • CDM 定格 2kV 超
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS 準拠
  • 低いオン抵抗
  • 低い Qg および Qgd
  • 極めて小さいフットプリント
    • 1.53mm × 0.77mm
  • 薄型
    • 高さ 0.36mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
    • HBM 定格 4kV 超
    • CDM 定格 2kV 超
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS 準拠

この 12V、15mΩ、N チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えることで、フットプリント・サイズを大幅に低減できます。

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この 12V、15mΩ、N チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えることで、フットプリント・サイズを大幅に低減できます。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート CSD13385F5 12V N チャネル FemtoFET™ MOSFET データシート (Rev. B 翻訳版) PDF | HTML 英語版をダウンロード (Rev.B) PDF | HTML 2022年 4月 14日
アプリケーション・ノート Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
その他の技術資料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
技術記事 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 8日
EVM ユーザー ガイド (英語) Ultra-Small Footprint N-Channel FemtoFET™ MOSFET Test EVM 2017年 12月 6日
設計ガイド Design Summary FemtoFET SMT (Rev. D) 2016年 7月 7日
アプリケーション・ノート Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. C) PDF | HTML 2016年 4月 19日
技術記事 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技術記事 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日

設計および開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

評価ボード

CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N チャネル評価モジュール

This FemtoFET N-ch EVM includes seven daughter cards, each card containing a different FemtoFET N-ch part number.  The daughter cards allow the engineer to easily connect and test these tiny devices.  The seven FemtoFETs range from 12V to 40V Vds, and the size of the devices include F3 (...)
TI.com で取り扱いなし
サポート・ソフトウェア

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

SLPC019A.ZIP (375 KB)
シミュレーション・モデル

CSD13385F5 Unencrypted PSpice Model (Rev. A) CSD13385F5 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

シミュレーション・モデル

CSD13385F5 TINA-TI Spice Model CSD13385F5 TINA-TI Spice Model

シミュレーション・モデル

CSD13385F5 TINA-TI Reference Design CSD13385F5 TINA-TI Reference Design

計算ツール

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
計算ツール

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC 同期降圧コンバータ・アプリケーション向けの MOSFET 電力損失計算機

サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
リファレンス・デザイン

TIDA-010053 — 一次電池を使用するスマート・メーター・ワイヤレス・モジュール向け低消費電力オプションのリファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインは、IoT (モノのインターネット) 関連アプリケーションを想定した既製品のナローバンド (NB、低速) モジュールを採用する、スマート流量計向けの電源です。電力供給源として二酸化マンガン・リチウム (LiMnO2) 一次電池と商用電源を使用し、降圧、昇降圧、昇圧という 3 種類の電源アーキテクチャを提示します。これら 3 種類の電源ソリューションを、バッテリ駆動スマート流量メーター向けバッテリ / システム状態監視機能のリファレンス・デザインというハードウェアと組み合わせています。このハードウェアは、バッテリの動作時間や寿命に関する、高精度のシステム状態 (...)
パッケージ ピン数 ダウンロード
(YJK) 3 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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