ホーム パワー マネージメント MOSFET

CSD25480F3

アクティブ

ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.6mm x 0.7mm のシングル LGA 封止、159mΩ、–20V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 159 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 260 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 0.7 QGD (typ) (nC) 0.1 QGS (typ) (nC) 0.26 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.7 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 159 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 260 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 0.7 QGD (typ) (nC) 0.1 QGS (typ) (nC) 0.26 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.7 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJM) 3 0.414 mm² 0.69 x 0.6
  • 低オン抵抗
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 極めて小さいフットプリント
    • 0.73mm × 0.64mm
  • 薄型
    • 最大高 0.36mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS 準拠
  • 低オン抵抗
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 極めて小さいフットプリント
    • 0.73mm × 0.64mm
  • 薄型
    • 最大高 0.36mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS 準拠

この –20V、110mΩ、P チャネル FemtoFET™ MOSFET は、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、フットプリントを大幅に減らすことができます。

この –20V、110mΩ、P チャネル FemtoFET™ MOSFET は、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、フットプリントを大幅に減らすことができます。

ダウンロード 字幕付きのビデオを表示 ビデオ

お客様が関心を持ちそうな類似品

open-in-new 代替品と比較
比較対象デバイスと同等の機能で、ピン互換製品
CSD23280F3 アクティブ ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.6mm x 0.7mm のシングル LGA、116mΩ、–12V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET Alternate 20 V versus 12 V, higher resistance

技術資料

star =TI が選定したこの製品の主要ドキュメント
結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアしてから、再度検索を試してください。
12 をすべて表示
上位の文書 タイプ タイトル フォーマットオプション 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート CSD25480F3 –20V P チャネル FemtoFET MOSFET データシート (Rev. B 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 4月 12日
アプリケーション・ノート MOSFET サポート / トレーニング ツール (Rev. G 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.G) PDF | HTML 2025年 11月 18日
アプリケーション概要 パワー MOSFET のリーク電流の推定 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 11月 7日
アプリケーション・ノート 半導体および IC パッケージの熱評価基準 (Rev. D 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.D) PDF | HTML 2025年 5月 8日
アプリケーション・ノート Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023年 12月 18日
アプリケーション・ノート Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 2023年 12月 14日
アプリケーション・ノート Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023年 3月 13日
アプリケーション概要 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
技術記事 What type of ESD protection does your MOSFET include? PDF | HTML 2020年 6月 22日
その他の技術資料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
設計ガイド FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016年 7月 7日
技術記事 FemtoFET MOSFETs: small as sand but it’s all about that pitch PDF | HTML 2016年 6月 27日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P チャネルの評価基板

FemtoFET P チャネル向けのこの評価基板 (EVM) には 6 枚のドーター カードが付属しており、各カードには FemtoFET P チャネルの異なる型番が記載されています。  ドーター カードを使用すると、エンジニアはこれらの超小型デバイスを簡単に接続してテストすることができます。  6 個の FemtoFET は 12V ~ 20V の範囲の Vds (ドレイン ソース間電圧) に対応しており、デバイスのサイズは F3 (0.6 x 0.7mm)、F4 (0.6 x 1.0mm)、F5 (0.8 x 1.5mm) のいずれかです。

ユーザー ガイド: PDF
サポート・ソフトウェア

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

シミュレーション・モデル

CSD25480F3 TINA-TI Reference Design

SLPM322.TSC (1196 KB) - TINA-TI Reference Design
シミュレーション・モデル

CSD25480F3 TINA-TI Spice Model

SLPM323.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice Model
シミュレーション・モデル

CSD25480F3 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM178B.ZIP (3 KB) - PSpice Model
リファレンス・デザイン

TIDA-050039 — リチウムイオン バッテリのリファレンス デザイン用の単一セル ソーラーパネルからの環境発電

TIDA-050039 リファレンス デザインは、完全統合型同期整流昇圧コンバータ TPS61089 と単一セル ソーラー パネルを組み合わせてリチウムイオン バッテリを充電する方法を示しています。最大電力点 (MPP) サンプリング ネットワークの追加により、入力電圧を動的に制御してソーラー パネルからの電力伝送を最適化できます。
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
PICOSTAR (YJM) 3 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブ拠点
  • アセンブリ拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

ビデオ