CSD23280F3

アクティブ

ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.6mm x 0.7mm のシングル LGA 封止、116mΩ、-12V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) -12 VGS (V) -6 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 116 Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) 165 Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) 250 Id peak (Max) (A) -11.4 Id max cont (A) -1.8 QG typ (nC) 0.95 QGD typ (nC) 0.068 QGS typ (nC) 0.3 VGSTH typ (V) -0.65 Package (mm) LGA 0.7x0.6mm
VDS (V) -12 VGS (V) -6 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 116 Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) 165 Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) 250 Id peak (Max) (A) -11.4 Id max cont (A) -1.8 QG typ (nC) 0.95 QGD typ (nC) 0.068 QGS typ (nC) 0.3 VGSTH typ (V) -0.65 Package (mm) LGA 0.7x0.6mm
  • 低オン抵抗
  • 極低 Qg および Qgd
  • 高い動作ドレイン電流
  • 極めて小さいフットプリント
    • 0.73mm × 0.64mm
  • 超薄型プロファイル
    • 最大高 0.36mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
    • HBM 定格 4kV 超
    • CDM 定格 2kV 超
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS 準拠
  • 低オン抵抗
  • 極低 Qg および Qgd
  • 高い動作ドレイン電流
  • 極めて小さいフットプリント
    • 0.73mm × 0.64mm
  • 超薄型プロファイル
    • 最大高 0.36mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
    • HBM 定格 4kV 超
    • CDM 定格 2kV 超
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS 準拠

この –12V、97mΩ、P チャネル FemtoFET™ MOSFET は、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、フットプリントを大幅に減らすことができます。

この –12V、97mΩ、P チャネル FemtoFET™ MOSFET は、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、フットプリントを大幅に減らすことができます。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート CSD23280F3 –12V P チャネル FemtoFET MOSFET データシート (Rev. B 翻訳版) PDF | HTML 英語版をダウンロード (Rev.B) PDF | HTML 2022年 4月 13日
アプリケーション・ノート Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
その他の技術資料 WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
技術記事 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 8日
EVM ユーザー ガイド (英語) CSD1FPCHEVM-890 P-channel FemtoFET MOSFET Test EVM 2017年 12月 6日
設計ガイド Design Summary FemtoFET SMT (Rev. D) 2016年 7月 7日
技術記事 FemtoFET MOSFETs: small as sand but it’s all about that pitch 2016年 6月 27日
アプリケーション・ノート Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. C) PDF | HTML 2016年 4月 19日
技術記事 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技術記事 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日

設計および開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

評価ボード

CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P チャネル評価モジュール

This FemtoFET P-ch EVM includes six daughter cards, each card containing a different FemtoFET p-ch part number.  The daughter cards allow the engineer to easily connect and test these tiny devices.  The six FemtoFETs range from 12V to 20V Vds, and the size of the devices include F3 (...)

TI.com で取り扱いなし
サポート・ソフトウェア

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

SLPC019A.ZIP (375 KB)
シミュレーション・モデル

CSD23280F3 Unencrypted PSpice Model (Rev. A) CSD23280F3 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

リファレンス・デザイン

TIDA-01228 — 誘導性センシング使用、低消費電力水量測定のリファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインは、CC1350 SimpleLink™ ワイヤレス・マイコンと FemtoFET™ MOSFET を使用して実装した誘導性センシング技術を使用した、このアプリケーション向けの高集積ソリューションを示します。また、このリファレンス・デザインは、ワイヤレス (...)
リファレンス・デザイン

TIDA-01589 — ノイズ・リダクション / エコー・キャンセレーション機能搭載、Hi-Fi、近距離、双方向オーディオのリファレンス・デザイン

人間と機械のインタラクションには、全二重ハンズフリー通信を行うための音響インターフェイスが必要です。ハンズフリー・モードでは、スピーカーからの遠端または近端のオーディオ信号の一部がマイクロフォンにカップリングされます。さらに、ノイズの多い環境では、有用な近端オーディオ信号とともに周囲のノイズをマイクロフォンが拾う可能性があります。キャプチャされたマルチ・マイクロフォンのオーディオ信号がバックグラウンドの音響ノイズやエコー信号の影響を受けることによって、目的の信号の明瞭度が低下し、それに続くオーディオ処理システムの性能に制約が生じます。このリファレンス・デザインはステレオ (...)
パッケージ ピン数 ダウンロード
(YJM) 3 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ Forums (英語) では、TI のエンジニアからの技術サポートが活用できます

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