100V N-Channel NexFET Power MOSFET - CSD19537Q3

CSD19537Q3 (ACTIVE)

100V N-Channel NexFET Power MOSFET

 

Description

This 100-V, 12.1-mΩ, SON 3.3-mm × 3.3-mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

Features

  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Lead Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package

View more

Parametrics Compare all products in N-Channel MOSFET Transistor

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
CSD19537Q3 CSD19531Q5A CSD19532Q5B CSD19533Q5A CSD19534Q5A CSD19538Q2 CSD19538Q3A
100    100    100    100    100    100    100   
  Single    Single    Single    Single    Single    Single   
14.5    6.4    4.9    9.5    15.1    59    61   
219    337    400    231    137    34.4    36   
16    37    48    27    17    4.3    4.3   
2.9    6.6    8.7    4.9    3.2    0.8    0.8   
SON3x3    SON5x6    SON5x6    SON5x6    SON5x6    SON2x2    SON3x3   
20    20    20    20    20    20    20   
3    2.7    2.6    2.8    2.8    3.2    3.2   
53    110    140    75    44    13.1    13.7   

WEBENCH® NexFET Designer

Design your power supply using FETs from TI

Vin
Min
V
  Max
V
 
Output Vout
V
  Iout
A
Ambient Temp °C  
Multiple Loads
Single Output
FPGA Power Processor Power
All
Actel
Altera
Lattice
Xilinx
TI
All
Multiple Loads
Multiple Loads
 

Vin (V)
Min
Max
Op. Temperature °C
Optional Light Output (Lumens)